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多量子点接触中静电势对电子输运的调制

基本信息

DOI:
--
发表时间:
2014
期刊:
四川大学学报(自然科学版)
影响因子:
--
通讯作者:
郭华忠
中科院分区:
其他
文献类型:
--
作者: 吴海强;郭华忠研究方向: -- MeSH主题词: --
关键词: --
来源链接:pubmed详情页地址

文献摘要

This article has studied the electrostatic modulation effect of electron transport through three quantum dot contacts driven by dynamic quantum dots. Different electrostatic potentials of quantum dot contacts are formed by applying different voltages to the gate, thus changing the shape of the dynamic quantum dots. As the gate voltage changes, the Fermi energy in the electron reservoir also changes, and at the same time, it affects the gradient of the electrostatic potential barrier of the next quantum dot contact. Experiments have proved that the electric potential of the quantum dot contact does not always hinder electron transport. The modulation of the electric potential can help us understand the Coulomb blockade effect between electrons.
本文对动态量子点驱动的通过三个量子点接触的电子输运的静电调制效应进行了研.究.通过对栅极施加不同电压形成不同的量子点接触静电势,从而改变动态量子点的形状.随.着栅极电压的改变,电子库中的费米能也会随之改变,同时,影响下一个量子点接触的静电.势垒的梯度.实验证明,量子点接触的电势并不总是阻碍电子输运.电势的调制能够帮助我们.了解电子与电子之间的库伦阻塞效应.
参考文献(0)
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关联基金

受限量子相干导体的高频量子输运
批准号:
11234009
批准年份:
2012
资助金额:
310.0
项目类别:
重点项目
郭华忠
通讯地址:
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所属机构:
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电子邮件地址:
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