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Growth defects in heteroepitaxial diamond

异质外延金刚石的生长缺陷

基本信息

DOI:
10.1063/5.0045644
发表时间:
2021
影响因子:
3.2
通讯作者:
V. Sittinger
中科院分区:
物理与天体物理3区
文献类型:
--
作者: V. Lebedev;J. Engels;J. Kustermann;J. Weippert;V. Cimalla;L. Kirste;Ch. Giese;P. Quellmalz;A. Graff;F. Meyer;M. Höfer;V. Sittinger研究方向: -- MeSH主题词: --
关键词: --
来源链接:pubmed详情页地址

文献摘要

参考文献(34)
被引文献(6)
Crystallographic Properties of Iridium Assessment of properties from absolute zero to the melting point
DOI:
10.1595/147106710x493124
发表时间:
2010-04-01
期刊:
PLATINUM METALS REVIEW
影响因子:
0
作者:
Arblaster, John W.
通讯作者:
Arblaster, John W.
Electronic structure of the negatively charged silicon-vacancy center in diamond
DOI:
10.1103/physrevb.89.235101
发表时间:
2014-06-02
期刊:
PHYSICAL REVIEW B
影响因子:
3.7
作者:
Rogers, Lachlan J.;Jahnke, Kay D.;Jelezko, Fedor
通讯作者:
Jelezko, Fedor
Multiple role of dislocations in the heteroepitaxial growth of diamond: A brief review
位错在金刚石异质外延生长中的多重作用:简要回顾
DOI:
发表时间:
2016
期刊:
影响因子:
0
作者:
M. Schreck;M. Mayr;O. Klein;M. Fischer;S. Gsell;A. Sartori;B.
通讯作者:
B.
Defect morphology and strain of CVD grown 3C–SiC layers: effect of the carbonization process
CVD 生长的 3C-SiC 层的缺陷形貌和应变:碳化过程的影响
DOI:
发表时间:
2005
期刊:
影响因子:
0
作者:
D. Méndez;A. Aouni;F. M. Morales;F. J. Pacheco;D. Araújo;É. Bustarret;G. Ferro;Y. Monteil
通讯作者:
Y. Monteil
Modeling of Threading Dislocation Density Reduction in Heteroepitaxial Layers I. Geometry and Crystallography
DOI:
10.1002/pssb.2221980205
发表时间:
1996-12
期刊:
Physica Status Solidi B-basic Solid State Physics
影响因子:
1.6
作者:
A. Romanov;W. Pompe;G. Beltz;J. Speck
通讯作者:
A. Romanov;W. Pompe;G. Beltz;J. Speck

数据更新时间:{{ references.updateTime }}

关联基金

Diamond disk micro-electro-mechanical transducers, CDISK
批准号:
317885617
批准年份:
2017
资助金额:
0
项目类别:
Research Grants
V. Sittinger
通讯地址:
--
所属机构:
--
电子邮件地址:
--
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