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An analysis of seed graphitization for sublimation growth of SiC bulk crystal

SiC块状晶体升华生长的籽晶石墨化分析

基本信息

DOI:
10.1016/j.diamond.2003.10.030
发表时间:
2004
影响因子:
4.1
通讯作者:
吴星
中科院分区:
材料科学2区
文献类型:
--
作者: 李河清;陈小龙;倪代秦;吴星研究方向: -- MeSH主题词: --
关键词: --
来源链接:pubmed详情页地址

文献摘要

参考文献(23)
被引文献(11)
THE GROWTH OF CRYSTALS AND THE EQUILIBRIUM STRUCTURE OF THEIR SURFACES
DOI:
10.1098/rsta.1951.0006
发表时间:
1951-01-01
期刊:
PHILOSOPHICAL TRANSACTIONS OF THE ROYAL SOCIETY OF LONDON SERIES A-MATHEMATICAL AND PHYSICAL SCIENCES
影响因子:
0
作者:
BURTON, WK;CABRERA, N;FRANK, FC
通讯作者:
FRANK, FC
Large Diameter, Low Defect Silicon Carbide Boule Growth
DOI:
10.4028/www.scientific.net/msf.353-356.3
发表时间:
2001-01
期刊:
Materials Science Forum
影响因子:
0
作者:
Calvin H. Carter Jr.;R. Glass;M. Brady;D. Malta;D. Henshall;S. Müller;V. Tsvetkov;H. McD. Hobgood;A. Powell
通讯作者:
Calvin H. Carter Jr.;R. Glass;M. Brady;D. Malta;D. Henshall;S. Müller;V. Tsvetkov;H. McD. Hobgood;A. Powell
Factors affecting the graphitization behavior of the powder source during seeded sublimation growth of SiC bulk crystal
DOI:
10.1016/s0022-0248(03)01492-1
发表时间:
2003-10-01
期刊:
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
影响因子:
1.8
作者:
Li, HQ;Chen, XL;Wu, X
通讯作者:
Wu, X
Crystal growth : theory and techniques
DOI:
发表时间:
1974
期刊:
影响因子:
0
作者:
C. Goodman
通讯作者:
C. Goodman
Optimization of sublimation growth of SiC bulk crystals using modeling
DOI:
10.1016/s0921-5107(98)00456-5
发表时间:
1999-07
期刊:
Materials Science and Engineering B-advanced Functional Solid-state Materials
影响因子:
3.6
作者:
M. S. Ramm;E. Mokhov;S. Demina;M. Ramm;A. Roenkov;Y. Vodakov;A. Segal;A. N. Vorob'ev;S. Karpov;A. Kulik;Y. Makarov
通讯作者:
M. S. Ramm;E. Mokhov;S. Demina;M. Ramm;A. Roenkov;Y. Vodakov;A. Segal;A. N. Vorob'ev;S. Karpov;A. Kulik;Y. Makarov

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关联基金

第三代半导体材料SiC大尺寸单晶和薄膜生长研究
批准号:
50132040
批准年份:
2001
资助金额:
160.0
项目类别:
重点项目
吴星
通讯地址:
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所属机构:
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电子邮件地址:
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