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Investigation of phase transition behaviors of the nitrogen-doped Sb-rich Si-Sb-Te films for phase-change memory

相变存储氮掺杂富Sb Si-Sb-Te薄膜的相变行为研究

基本信息

DOI:
10.1016/j.tsf.2011.08.111
发表时间:
2011-11
影响因子:
2.1
通讯作者:
Feng, Songlin
中科院分区:
材料科学3区
文献类型:
--
作者: Zhou, Xilin;Chen, Bomy;Wu, Liangcai;Song, Zhitang;Rao, Feng;Ren, Kun;Peng, Cheng;Liu, Bo;Yao, Dongning;Feng, Songlin研究方向: -- MeSH主题词: --
关键词: --
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文献摘要

参考文献(14)
被引文献(8)
Reliability study of phase-change nonvolatile memories
DOI:
10.1109/tdmr.2004.836724
发表时间:
2004-09-01
期刊:
IEEE TRANSACTIONS ON DEVICE AND MATERIALS RELIABILITY
影响因子:
2
作者:
Pirovano, A;Redaelli, A;Bez, R
通讯作者:
Bez, R
Phase change random access memory cell with superlattice-like structure
DOI:
10.1063/1.2181191
发表时间:
2006-03-20
期刊:
APPLIED PHYSICS LETTERS
影响因子:
4
作者:
Chong, TC;Shi, LP;Tung, CH
通讯作者:
Tung, CH
Performance improvement of phase-change memory cell with Ge2Sb2Te5-HfO2 composite films
DOI:
10.1007/s00339-010-5708-y
发表时间:
2010-05
期刊:
Applied Physics A
影响因子:
0
作者:
Sannian Song;Zhitang Song;Bo Liu;Liangcai Wu;S. Feng
通讯作者:
Sannian Song;Zhitang Song;Bo Liu;Liangcai Wu;S. Feng
Phase Change Memory Cell Using Si2Sb2Te3 Material
使用 Si2Sb2Te3 材料的相变存储单元
DOI:
10.1143/jjap.49.080212
发表时间:
2010-08
期刊:
Japanese Journal of Applied Physics
影响因子:
1.5
作者:
Ren, Kun;Rao, Feng;Song, Zhitang;Wu, Liangcai;Zhou, Xilin;Liu, Bo;Feng, Songlin;Xi, Wei;Chen, Bomy
通讯作者:
Chen, Bomy
Separate domain formation in Ge2Sb2Te5–SiOx mixed layer
DOI:
10.1063/1.2362981
发表时间:
2006-10
期刊:
Applied Physics Letters
影响因子:
4
作者:
Tae-Yon Lee;Sung-Soo Yim;Dongbok Lee;Min-Hyun Lee;D. Ahn;Ki-Bum Kim
通讯作者:
Tae-Yon Lee;Sung-Soo Yim;Dongbok Lee;Min-Hyun Lee;D. Ahn;Ki-Bum Kim

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