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Oxide and nitride semiconductors : processing, properties, and applications

氧化物和氮化物半导体：加工、特性和应用

基本信息

DOI：
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发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Soon
中科院分区：
文献类型：
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作者： 八百 隆文;Soon研究方向： -- MeSH主题词： --
关键词： --
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文献摘要

Basic Properties of ZnO, GaN, and Related Materials.- Solvothermal Growth of ZnO and GaN.- Growth of ZnO and GaN Films.- Control of Polarity and Application to Devices.- Growth of Nonpolar GaN and ZnO Films.- Structural Defects in GaN and ZnO.- Optical Properties of GaN and ZnO.- Electrical Properties of GaN and ZnO.- GaN and ZnO Light Emitters.- ZnO and GaN Nanostructures and their Applications.
氧化锌、氮化镓及相关材料的基本性质 - 氧化锌和氮化镓的溶剂热生长 - 氧化锌和氮化镓薄膜的生长 - 极性的控制及其在器件中的应用 - 非极性氮化镓和氧化锌薄膜的生长 - 氮化镓和氧化锌中的结构缺陷 - 氮化镓和氧化锌的光学性质 - 氮化镓和氧化锌的电学性质 - 氮化镓和氧化锌发光体 - 氧化锌和氮化镓纳米结构及其应用
参考文献（0）
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