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Ge(111)薄膜を利用したガラス上Geナノワイヤの均一合成

利用Ge(111)薄膜在玻璃上均匀合成Ge纳米线

基本信息

DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
末益 崇
中科院分区：
文献类型：
--
作者： 中田 充紀;都甲 薫;Jevasuwan Wipakorn;深田 直樹;末益 崇研究方向： -- MeSH主题词： --
关键词： --
来源链接：pubmed详情页地址

文献摘要

参考文献
被引文献
Buffer-layer-free growth of high-quality epitaxial GaN films on 4H-SiC substrate by metal-organic chemical vapor deposition
DOI：
10.1016/j.jcrysgro.2004.12.002
发表时间：
2005-04
期刊：
Journal of Crystal Growth
影响因子：
1.8
作者：
Jae Kyeong Jeong;Jung-Hae Choi;Hyunjin Kim;Hui-chan Seo;H. Kim;E. Yoon;C. Hwang;H. Kim
通讯作者：
Jae Kyeong Jeong;Jung-Hae Choi;Hyunjin Kim;Hui-chan Seo;H. Kim;E. Yoon;C. Hwang;H. Kim

数据更新时间：{{ references.updateTime }}

关联基金

Fabrication of Si-LSI compatible Ge nanowires for ultra-high-speed transistors
批准号：
26600083
批准年份：
2014
资助金额：
2.33
项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
末益 崇
通讯地址:
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所属机构:
--
电子邮件地址：
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