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Quantum dots-templated growth of strain-relaxed GaN on a c-plane sapphire by radio-frequency molecular beam epitaxy

通过射频分子束外延在 c 面蓝宝石上量子点模板生长应变弛豫 GaN

基本信息

DOI：
10.1088/1674-1056/21/10/108101
发表时间：
2012-10
期刊：
Chinese Physics B
影响因子：
1.7
通讯作者：
Wang Yu-Qi
中科院分区：
物理与天体物理3区
文献类型：
--
作者： Guo Hao-Min;Wen Long;Zhao Zhi-Fei;Bu Shao-Jiang;Li Xin-Hua;Wang Yu-Qi研究方向： -- MeSH主题词： --
关键词： --
来源链接：pubmed详情页地址

文献摘要

We investigated the quantum dots-templated growth of a (0001) GaN film on a c-plane sapphire substrate. The growth was carried out in a radio-frequency molecular beam epitaxy system. The enlargement and coalescence of grains on the GaN quantum dots templa
我们研究了在c面蓝宝石衬底上以量子点为模板生长（0001）GaN薄膜。生长是在射频分子束外延系统中进行的。GaN量子点模板上晶粒的长大和合并……
参考文献（29）
被引文献（1）
Nanowire-Templated Lateral Epitaxilal Growth of Low-Dislocation Density Nonpolar a-Plane GaN on r-Plane Sapphire
DOI：
10.1002/adma.200802532
发表时间：
2009-06-19
期刊：
ADVANCED MATERIALS
影响因子：
29.4
作者：
Li, Qiming;Lin, Yong;Wang, George T.
通讯作者：
Wang, George T.
Defect reduction in nonpolar a-plane GaN films using in situ SiNx nanomask
DOI：
10.1063/1.2234841
发表时间：
2006-07
期刊：
Applied Physics Letters
影响因子：
4
作者：
A. Chakraborty;Kwangchoong Kim;Feng Wu;J. Speck;S. Denbaars;U. Mishra
通讯作者：
A. Chakraborty;Kwangchoong Kim;Feng Wu;J. Speck;S. Denbaars;U. Mishra
Effect of pressure on optical phonon modes and transverse effective charges in GaN and AlN -: art. no. 035205
DOI：
10.1103/physrevb.64.035205
发表时间：
2001-07-15
期刊：
PHYSICAL REVIEW B
影响因子：
3.7
作者：
Goñi, AR;Siegle, H;Wagner, JM
通讯作者：
Wagner, JM
Effect of III/V Ratio of HT-AlN Buffer Layer on Polarity Selection and Electrical Quality of GaN Films Grown by Radio Frequency Molecular Beam Epitaxy
DOI：
10.1088/0256-307x/24/1/065
发表时间：
2007
期刊：
Chinese Physics Letters
影响因子：
3.5
作者：
Zhongmin Fei;Qiu Kai;Li Xin-hua;Yin Zhi-jun;Xie Xin-jian;Wang Yang;Ji Chang-Jian;Cao Xiancun;Han Qi-feng;Chen Jia-Rong;Wang Yu-Qi
通讯作者：
Zhongmin Fei;Qiu Kai;Li Xin-hua;Yin Zhi-jun;Xie Xin-jian;Wang Yang;Ji Chang-Jian;Cao Xiancun;Han Qi-feng;Chen Jia-Rong;Wang Yu-Qi
The Role of Threading Dislocations in the Physical Properties of GaN and its Alloys
DOI：
10.4028/www.scientific.net/msf.353-356.769
发表时间：
1999-12
期刊：
Materials Science Forum
影响因子：
0
作者：
J. Speck
通讯作者：
J. Speck

数据更新时间：{{ references.updateTime }}

关联基金

芯壳结构砷化镓一维纳米线的局域结构及其光伏电池应用研究
批准号：
11179042
批准年份：
2011
资助金额：
56.0
项目类别：
联合基金项目
Wang Yu-Qi
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