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Si(111)衬底上多层石墨烯薄膜的外延生长

基本信息

DOI：
10.3724/sp.j.1077.2011.00472
发表时间：
2011-04
期刊：
无机材料学报
影响因子：
--
通讯作者：
闫文盛
中科院分区：
其他
文献类型：
--
作者： 李利民;韦世强;康朝阳;潘国强;唐军;徐彭寿;闫文盛研究方向： -- MeSH主题词： --
关键词： --
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文献摘要

Using solid-source molecular beam epitaxy (SSMBE) technology, graphene films are epitaxially grown by depositing carbon atoms on a Si(111) substrate. The films grown at different substrate temperatures (400, 600, 700, 800 °C) are structurally characterized by means of reflection high-energy electron diffraction (RHEED), infrared absorption spectroscopy (FTIR), Raman spectroscopy (RAMAN) and X-ray absorption fine structure spectroscopy (NEXAFS). The results of RAMAN and NEXAFS show that the film prepared at 800 °C has the characteristics of graphene, while the samples grown at 400, 600 and 700 °C are amorphous or polycrystalline carbon films. The results of RHEED and FTIR show that when the deposition temperature is below 600 °C, the C atoms and the substrate Si atoms...
利用固源分子束外延(SSMBE)技术, 在Si(111)衬底上沉积碳原子外延生长石墨烯薄膜, 通过反射式高能电子衍射(RHEED)、红外吸收谱(FTIR)、拉曼光谱(RAMAN)和X射线吸收精细结构谱(NEXAFS)等手段对不同衬底温度(400、600、700、800℃)生长的薄膜进行结构表征. RAMAN和NEXAFS结果表明: 在800℃下制备的薄膜具有石墨烯的特征, 而 400、600和700℃生长的样品为非晶或多晶碳薄膜. RHEED和FTIR结果表明, 沉积温度在600℃以下时C原子和衬底Si原
参考文献（9）
被引文献（2）
Carbon cluster ions from low- and high-temperature glassy carbon, highly oriented pyrolytic graphite, and polycrystalline graphite
DOI：
10.1021/cm00029a012
发表时间：
1993-05
期刊：
Chemistry of Materials
影响因子：
8.6
作者：
M. A. May;Michael E. Huston;M. Callstrom;A. Marshall
通讯作者：
M. A. May;Michael E. Huston;M. Callstrom;A. Marshall
LATTICE-DYNAMICS OF SIC POLYTYPES WITHIN THE BOND-CHARGE MODEL
DOI：
10.1103/physrevb.50.13401
发表时间：
1994-11-01
期刊：
PHYSICAL REVIEW B
影响因子：
3.7
作者：
HOFMANN, M;ZYWIETZ, A;BECHSTEDT, F
通讯作者：
BECHSTEDT, F
The rise of graphene
DOI：
10.1142/97898142870050002
发表时间：
2010-01-01
期刊：
Nanoscience and technology: A collection of reviews from nature journals
影响因子：
0
作者：
Geim, A. K.;Novoselov, K. S.
通讯作者：
Novoselov, K. S.
Spatially resolved raman spectroscopy of single- and few-layer graphene
DOI：
10.1021/nl061702a
发表时间：
2007-02-01
期刊：
NANO LETTERS
影响因子：
10.8
作者：
Graf, D.;Molitor, F.;Wirtz, L.
通讯作者：
Wirtz, L.
The rise of graphene
DOI：
10.1038/nmat1849
发表时间：
2007-03-01
期刊：
NATURE MATERIALS
影响因子：
41.2
作者：
Geim, A. K.;Novoselov, K. S.
通讯作者：
Novoselov, K. S.

数据更新时间：{{ references.updateTime }}

关联基金

SiC表面石墨烯的外延生长及其界面结构的同步辐射表征
批准号：
50872128
批准年份：
2008
资助金额：
38.0
项目类别：
面上项目
闫文盛
通讯地址:
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