磷掺杂SiO2质子导体膜及在多栅刺激耦合突触晶体管中的应用

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基本信息

  • 批准号:
    51402321
  • 项目类别:
    青年科学基金项目
  • 资助金额:
    25.0万
  • 负责人:
  • 依托单位:
  • 学科分类:
    E0208.无机非金属能量转换与存储材料
  • 结题年份:
    2017
  • 批准年份:
    2014
  • 项目状态:
    已结题
  • 起止时间:
    2015-01-01 至2017-12-31

项目摘要

Synaptic transistor, which is multifunction and intelligentized transistor, has potential applications in the field of artificial neural network. It calculates the weighted of multiport input signal to control the on/off state of the transistor as same as the work mode of the biological neurons. Based on preliminary studies, the situ phosphorus doped nanoparticles SiO2 proton conductor films will be prepared by plasma-enhanced chemical vapor deposition technique and after being optimized, they will be used as gate dielectric to develop the multi-gate coupling synaptic transistor.Based on double electrode layer and electrochemical reaction formed by the mobile protons which are regulated and controlled by multi-gate stimulation coupling, the plasticity of the biological synapse, such as LTM, STM, PPF, EPSC, SDTP. This study involved the development of a proton conductor film functional materials and multi-gate transistor synapses。 It will help to broaden the proton conductor membrane applications for synaptic transistors , providing optional microelectronic components for the bionic neural networks. Therefor, it has important significance.
突触晶体管作为一种多功能、智能化的晶体管,在人造神经网络领域具有潜在的应用价值。它通过电容耦合效应计算多端输入信号的加权和,来控制晶体管的导通和截止,非常类似于生物神经元的工作模式。本课题在前期研究基础上,采用等离子体化学气相沉积技术制备原位磷掺杂纳米颗粒SiO2质子导体膜,将优化后的质子导体膜作为栅介质开发多栅刺激耦合突触晶体管。利用多栅刺激耦合调控驱动质子的迁移,并在栅介质和沟道层界面上形成双电层和电化学掺杂反应,模拟实现生物突触的长短程记忆(LTM和STM)特性、长短程过渡特性、双脉冲易化(PPF)、后突触刺激电流特性(EPSC)、刺激-时间依赖塑性(STDP)等特性。本研究涉及质子导体膜功能材料的开发和多栅突触晶体管的研制,将有利于拓宽质子导体膜在突触薄膜晶体管中的应用领域,为神经网络仿生研究提供可选择性的微电子元器件,在新材料结构体系的突触晶体管研究领域具有重要的意义。

结项摘要

突触晶体管作为一种多功能、智能化的晶体管,在人造神经网络领域具有潜在的应用价值。它通过电容耦合效应计算多端输入信号的加权和,来控制晶体管的导通和截止,非常类似于生物神经元的工作模式。本课题在前期研究基础上,采用等离子体化学气相沉积技术制备原位磷掺杂纳米颗粒SiO2质子导体膜,将优化后的质子导体膜作为栅介质开发多栅刺激耦合突触晶体管。利用多栅刺激耦合调控驱动质子的迁移,并在栅介质和沟道层界面上形成双电层和电化学掺杂反应,模拟实现生物突触的长短程记忆(LTM和STM)特性、长短程过渡特性、双脉冲易化(PPF)、后突触刺激电流特性(EPSC)、刺激-时间依赖塑性(STDP)等特性。本研究涉及质子导体膜功能材料的开发和多栅突触晶体管的研制,将有利于拓宽质子导体膜在突触薄膜晶体管中的应用领域,为神经网络仿生研究提供可选择性的微电子元器件,在新材料结构体系的突触晶体管研究领域具有重要的意义。

项目成果

期刊论文数量(7)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(1)
Synaptic behaviors mimicked in indium-zinc-oxid transistors gated by high-proton-conducting graphene oxide-based composite solid electrolytes
由高质子传导氧化石墨烯基复合固体电解质门控的氧化铟锌晶体管中模拟的突触行为
  • DOI:
    10.1039/c6tc02228f
  • 发表时间:
    2016
  • 期刊:
    Journal of Materials Chemistry C
  • 影响因子:
    6.4
  • 作者:
    Guo Liqiang;Wen Juan;Cheng Guanggui;Yuan Ningyi;Ding Jianning
  • 通讯作者:
    Ding Jianning
玉米淀粉固态电解质质子n电子杂化突触晶体管
  • DOI:
    10.7498/aps.66.168501
  • 发表时间:
    2017
  • 期刊:
    物理学报
  • 影响因子:
    --
  • 作者:
    郭立强;陶剑;温娟;程广贵;袁宁一;丁建宁
  • 通讯作者:
    丁建宁
Indium-zinc-oxide electric-double-layer thin-film transistors gated by silane coupling agents 3-triethoxysilylpropylamine-graphene oxide solid electrolyte
硅烷偶联剂门控的氧化铟锌双电层薄膜晶体管3-三乙氧基甲硅烷基丙胺-氧化石墨烯固体电解质
  • DOI:
    10.1088/0022-3727/48/28/285103
  • 发表时间:
    2015
  • 期刊:
    Journal of Physics D-Applied Physics
  • 影响因子:
    3.4
  • 作者:
    Guo Liqiang;Huang Yukai;Shi Yangyang;Cheng Guanggui;Ding Jianning
  • 通讯作者:
    Ding Jianning
基于KH550-GO固态电解质中电容耦合作用的双侧栅IZO薄膜晶体管
  • DOI:
    --
  • 发表时间:
    2016
  • 期刊:
    物理学报
  • 影响因子:
    --
  • 作者:
    郭立强;温娟;程广贵;袁宁一;丁建宁
  • 通讯作者:
    丁建宁
Paired-pulse facilitation achieved in protonic/electronic hybrid indium gallium zinc oxide synaptic transistors
在质子/电子混合氧化铟镓锌突触晶体管中实现成对脉冲促进
  • DOI:
    10.1063/1.4928386
  • 发表时间:
    2015
  • 期刊:
    Aip Advances
  • 影响因子:
    --
  • 作者:
    Guo Li Qiang;Zhu Li Qiang;Ding Jian Ning;Huang Yu Kai
  • 通讯作者:
    Huang Yu Kai

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其他文献

壁面材质和温度场对熔融硅润湿角的影响
  • DOI:
    --
  • 发表时间:
    2015
  • 期刊:
    物理学报
  • 影响因子:
    --
  • 作者:
    许多;丁建宁;袁宁一;张忠强;程广贵;郭立强;凌智勇
  • 通讯作者:
    凌智勇
Effects of humidity on performance of electric-double-layer oxide-based thin-film transistors gated by nanogranular SiO2 solid electrolyte
湿度对纳米颗粒SiO2固体电解质门控的双电层氧化物薄膜晶体管性能的影响
  • DOI:
    --
  • 发表时间:
    2013-07-11
  • 期刊:
  • 影响因子:
    --
  • 作者:
    郭立强
  • 通讯作者:
    郭立强
基于织构表面的摩擦静电发电机制备及其输出性能研究
  • DOI:
    --
  • 发表时间:
    2016
  • 期刊:
    Acta Physica Sinica
  • 影响因子:
    1
  • 作者:
    程广贵;张伟;方俊;蒋诗宇;丁建宁;Noshir S.Pesika;张忠强;郭立强;王莹
  • 通讯作者:
    王莹
直流磁控溅射铝纳米颗粒膜的微结构及电学特性
  • DOI:
    --
  • 发表时间:
    2015
  • 期刊:
    功能材料
  • 影响因子:
    --
  • 作者:
    花银群;朱爱春;陈瑞芳;郭立强
  • 通讯作者:
    郭立强
Atomic layer deposited Al2O3 films for anti-reflectance and surface passivation applications
用于抗反射和表面钝化应用的原子层沉积 Al2O3 薄膜
  • DOI:
    10.1016/j.apsusc.2013.10.051
  • 发表时间:
    --
  • 期刊:
    Applied Surface Science
  • 影响因子:
    6.7
  • 作者:
    竺立强;刘阳辉;张洪亮;肖惠;郭立强
  • 通讯作者:
    郭立强

其他文献

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课题项目:调控A型流感病毒诱导IFN-β表达的机制研究

AI项目摘要:

本研究聚焦于TRIM2蛋白在A型流感病毒诱导的IFN-β表达中的调控机制。A型流感病毒是全球性健康问题,其感染可导致严重的呼吸道疾病。IFN-β作为关键的抗病毒因子,其表达水平对抗病毒防御至关重要。然而,TRIM2如何调控IFN-β的表达尚未明确。本研究假设TRIM2通过与病毒RNA或宿主因子相互作用,影响IFN-β的产生。我们将采用分子生物学、细胞生物学和免疫学方法,探索TRIM2与A型流感病毒诱导IFN-β表达的关系。预期结果将揭示TRIM2在抗病毒免疫反应中的作用,为开发新的抗病毒策略提供理论基础。该研究对理解宿主抗病毒机制具有重要科学意义,并可能对临床治疗流感病毒感染提供新的视角。

AI项目思路:

科学问题:TRIM2如何调控A型流感病毒诱导的IFN-β表达?
前期研究:已有研究表明TRIM2参与抗病毒反应,但其具体机制尚不明确。
研究创新点:本研究将深入探讨TRIM2在IFN-β表达中的直接作用机制。
技术路线:包括病毒学、分子生物学、细胞培养和免疫检测技术。
关键技术:TRIM2与病毒RNA的相互作用分析,IFN-β启动子活性检测。
实验模型:使用A型流感病毒感染的细胞模型进行研究。

AI技术路线图

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          A[研究起始] --> B[文献回顾与假设提出]
          B --> C[实验设计与方法学准备]
          C --> D[A型流感病毒感染模型建立]
          D --> E[TRIM2与病毒RNA相互作用分析]
          E --> F[TRIM2对IFN-β启动子活性的影响]
          F --> G[IFN-β表达水平测定]
          G --> H[TRIM2功能丧失与获得研究]
          H --> I[数据收集与分析]
          I --> J[结果解释与科学验证]
          J --> K[研究结论与未来方向]
          K --> L[研究结束]
      
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