微波功率异质结晶体管(HBT)自加热效应的补偿技术研究
项目介绍
AI项目解读
基本信息
- 批准号:60376033
- 项目类别:面上项目
- 资助金额:19.0万
- 负责人:
- 依托单位:
- 学科分类:F0404.半导体电子器件与集成
- 结题年份:2006
- 批准年份:2003
- 项目状态:已结题
- 起止时间:2004-01-01 至2006-12-31
- 项目参与者:孙英华; 何炎; 高凤英; 王立新; 刘海江; 刘黎明;
- 关键词:
项目摘要
随器件尺寸的不断缩小,随现行SOI技术的不断采用,介质在器件(深槽)隔离技术中的不断应用,都使得热阻不断增加,器件本身自加热(self-heating)和热耦合效应对器件的影响越来越显著。自加热不但显著地影响器件特性,而且引起器件热不稳定、形成热斑和导致热烧毁,严重限制了器件高功率工作。本课题将从理论与实验上全面研究HBT的自热和热耦合效应,研究补偿自热效应的措施,特别是通过器件本身设计(非均等的发射区条长、条间距的组合)和利用异质结(ΔEV)的特点来补偿自热和热耦合效应的方法,优化镇流电阻(减少电阻值或不用镇流电阻),最大限度地发挥HBT高频功率处理能力,提高器件特性的稳定性(减少特性漂移),本课题对设计和制造既有高功率、高功率增益和高集电极附加效率,又有高热稳定性的微波功率HBT具有重要的理论和实际意义。
结项摘要
项目成果
期刊论文数量(11)
专著数量(3)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(13)
专利数量(0)
射频功率HBT自加热效应及补偿方
- DOI:--
- 发表时间:--
- 期刊:微电子学,2006年6月,36(3):288-291。
- 影响因子:--
- 作者:金冬月;张万荣*;吴春瑜
- 通讯作者:吴春瑜
微波功率SiGe HBT的温度特性(
- DOI:--
- 发表时间:--
- 期刊:半导体学报, 2006年12月,27, 增刊, pp.231-233. (EI刊源)
- 影响因子:--
- 作者:杨经伟;张万荣*;金冬月;邱建
- 通讯作者:邱建
版图尺寸对SiGe HBT高频噪声特性
- DOI:--
- 发表时间:--
- 期刊:微电子学, 2006年10月,36(5):598-600。
- 影响因子:--
- 作者:张万荣*;沙永萍, 谢红云;刘颖
- 通讯作者:刘颖
射频功率异质结双极晶体管热稳定
- DOI:--
- 发表时间:--
- 期刊:电子器件,29(4):1168-1171。(EI刊源)
- 影响因子:--
- 作者:金冬月;张万荣*,谢红云,邱建军,
- 通讯作者:张万荣*,谢红云,邱建军,
多发射极条功率SiGe HBT的热电耦
- DOI:--
- 发表时间:--
- 期刊:微电子学, 2006年10月,36(5):591-594。
- 影响因子:--
- 作者:张万荣*;何莉剑;谢红云;杨经
- 通讯作者:杨经
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- 通讯作者:王扬
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- DOI:--
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- 通讯作者:张万荣
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- DOI:--
- 发表时间:2011
- 期刊:电子器件
- 影响因子:--
- 作者:刘波宇;张万荣;谢红云;金冬月;丁春宝
- 通讯作者:丁春宝
一种无电感超宽带低噪声放大器的设计
- DOI:--
- 发表时间:--
- 期刊:微电子学
- 影响因子:--
- 作者:谢红云;胡宁;黄璐;沈珮;张万荣;黄毅文
- 通讯作者:黄毅文
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