p-GaN HEMT车载瞬态过电压损伤机理及新结构

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数据更新时间：2024-06-01

其他文献

基于GaN器件Buck电路死区功耗分析与优化
  • DOI：
    --
  • 发表时间：
    2016
  • 期刊：
    电源学报
  • 影响因子：
    --
  • 作者：
    陈万军;施宜军;周琦;张波
  • 通讯作者：
    张波
共 1 条
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施宜军的其他基金

增强型GaN-on-Si MIS-HEMT功率器件场控能带机理与新技术
  • 批准号：
  • 批准年份：
    2020
  • 资助金额：
    24 万元
  • 项目类别：
    青年科学基金项目