半导体纳米结构输运性质的噪声谱研究

在制备硅纳米结构器件的基础上，对其电子输运中的噪声谱特征进行了实验和数值模拟研究。在纳米沟道的MOSFET中发现了室温下的大幅度的随机电报噪声，实验上验证了排斥/吸引型电子陷阱的作用模型。进一步对不同沟道宽度的1/f噪声谱测试分析，并结合数值模拟结果，获得了低频噪声与沟道宽度的关系，并指出了所适用的载流子参量涨落模型。研究了P/N型同沟道纳米点结MOSFET的噪声特征，提出其低频噪声主要有载流子的散射涨落引起，噪声功率谱对栅压的关系可作为该器件的“噪声指纹”对纳米点荷电动力学这的研究中，成功地观察到了室温下的单电子隧穿相关的电容/电导共振峰，给出了纳米点中的库仓荷电能。本成果为纳米器件和可靠性研究提供一定的科学依据。