离子束辅助磁控溅射沉积共掺杂ZnO:TMLi薄膜及其多铁性研究
项目介绍
AI项目解读
基本信息
- 批准号:61106124
- 项目类别:青年科学基金项目
- 资助金额:24.0万
- 负责人:
- 依托单位:
- 学科分类:F0401.半导体材料
- 结题年份:2014
- 批准年份:2011
- 项目状态:已结题
- 起止时间:2012-01-01 至2014-12-31
- 项目参与者:邵乐喜; 刘贵昂; 全军; 谢伟; 王红军; 李达; 李栋宇; 唐晓山; 姜昕;
- 关键词:
项目摘要
综合利用电荷有序和自旋有序的存储器是半导体电子信息领域的重要课题。然而,现阶段多铁材料的研究集中于铁酸盐或锰酸盐,铁磁居里温度低,且与半导体材料结构差距大,不利于器件集成,成为多态存储器开发应用的瓶颈。本项目拟采用离子束辅助磁控溅射技术制备多铁性共掺杂的ZnO:CoLi和ZnO:CuLi薄膜,利用二次离子质谱(SIMS)、背散射/沟道(RBS/C)和霍尔效应测试样品的晶体缺陷分布、掺杂和载流子浓度,结合铁磁性(SQUID)和铁电性(Sawyer-Tower)测试结果,揭示多铁性结构形成的微观机制。在此基础上,利用高分辨透射电镜(HRTEM)分析手段,在纳米尺度揭示金属团簇等各种相结构的形成过程。探索和发展一套制备多铁性化合物的离子束辅助磁控溅射工艺,制备电极化强度达到10-4C/cm2、磁化强度emu/cm3的多铁性膜层,形成自主知识产权,为开发具有使用价值的多比特新型存储器提供科学依据。
结项摘要
多铁性综合了铁磁性和铁电性两种基本物理性性能,是近年来备受关注的信息功能材料。然而,到目前为止只在很少一部分电极化和磁极化材料中发现同时具有铁电性或铁磁性并且材料的铁磁居里温度较低,重复性差。本项目用离子束辅助磁控溅射及离子注入技术制备了多铁性共掺杂的ZnO:CoLi和ZnO:CuLi薄膜,系统研究Li和Cu、Mn、Co等元素以及缺陷对材料结构和物理性能的影响,利用高分辨透射电镜(HRTEM)分析手段结合变温PL测试,在纳米尺度揭示了金属团簇等各种相结构的形成过程。结合铁磁性(SQUID)和铁电性(Sawyer-Tower)测试结果,揭示出多铁性结构形成的微观机制。优化实验条件,探索和发展了制备多铁性ZnO基化合物的离子束辅助磁控溅射工艺,制备出电极化强度达到10-5-10-6 C/cm2、磁化强度 ~emu/cm3的多铁性膜层,申请三项发明专利,为开发具有实用价值的综合利用电荷有序和自旋有序的新型存储器件提供科学依据。进一步,该项目研究了纳米结构ZnCuO的显微结构并通过外加电场对ZnCuO基RRAM的阻态进行控制从而达到调制其磁场强度和实现信息的高密度存储的目的。
项目成果
期刊论文数量(19)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Electrical properties and carrier transport mechanisms of nonvolatile memory devices based on randomly oriented ZnO nanowire networks
基于随机取向ZnO纳米线网络的非易失性存储器件的电性能和载流子传输机制
- DOI:10.1002/pssr.201105146
- 发表时间:2011-07
- 期刊:Physica Status Solidi-Rapid Research Letters
- 影响因子:2.8
- 作者:Wang, H. J.;Zou, C. W.;Zhou, L.;Tian, C. X.;Lee, M. K.;Lee, J. C.;Kang, T. W.;Fu, D. J.
- 通讯作者:Fu, D. J.
Structure and luminescence properties of SrAl2O4:Eu2+, Dy3+ by Ba2+ and Ca2+ co-doping
Ba2和Ca2共掺杂SrAl2O4:Eu2 , Dy3的结构和发光性能
- DOI:10.1016/j.jallcom.2011.11.048
- 发表时间:2012-02-15
- 期刊:JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS
- 影响因子:6.2
- 作者:Xie, Wei;Quan, Jun;Wang, Yinhai
- 通讯作者:Wang, Yinhai
Synthesis and oxygen vacancy-related photocatalytic properties of ZnO nanotubes grown by thermal evaporation
热蒸发氧化锌纳米管的合成及其与氧空位相关的光催化性能
- DOI:10.1007/s11164-014-1620-y
- 发表时间:2015-08
- 期刊:Res Chem Intermed
- 影响因子:--
- 作者:Feng Liang;Changwei Zou;Shuwen Xue
- 通讯作者:Shuwen Xue
Effects of annealing temperature on the structure, photoluminescence and ferromagnetism properties of Cr-implanted ZnO nanowires
退火温度对Cr注入ZnO纳米线结构、光致发光和铁磁性的影响
- DOI:10.1007/s00339-012-7027-y
- 发表时间:2012-06
- 期刊:Applied Physics A-Materials Science & Processing
- 影响因子:--
- 作者:C. W. Zou;L. X. Shao;D. J. Fu
- 通讯作者:D. J. Fu
Resistive switching characteristics of thin NiO film based flexible nonvolatile memory devices
基于NiO薄膜的柔性非易失性存储器件的阻变特性
- DOI:10.1016/j.mee.2011.05.037
- 发表时间:2012-03-01
- 期刊:MICROELECTRONIC ENGINEERING
- 影响因子:2.3
- 作者:Wang, Hongjun;Zou, Changwei;Fu, Dejun
- 通讯作者:Fu, Dejun
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其他文献
某南方城市城郊区域大气颗粒物中总铝、铝形态及其对成人健康风险评估
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- 通讯作者:黄虹
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- 通讯作者:邹长伟
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- 作者:邹长伟;郑军;贵宾华;王启民
- 通讯作者:王启民
中频磁控溅射制备AlN薄膜
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- 期刊:核技术
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- 作者:任克飞;邹长伟;阴明利;付德君
- 通讯作者:付德君
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