智能功率集成电路中的集成正负低压电源的研究

结题报告
项目介绍
AI项目解读

基本信息

  • 批准号:
    61504021
  • 项目类别:
    青年科学基金项目
  • 资助金额:
    20.0万
  • 负责人:
  • 依托单位:
  • 学科分类:
    F0404.半导体电子器件与集成
  • 结题年份:
    2018
  • 批准年份:
    2015
  • 项目状态:
    已结题
  • 起止时间:
    2016-01-01 至2018-12-31

项目摘要

Smart Power ICs (SPICs) is used widely in broad market and is one of the most popular research fields of power semiconductors. However, in Chinese market, the SPICs mainly rely on imports. Therefore, to develop our own independent intellectual property rights of SPICs with related technologies and products is now imminent. To ensure the normal operation of the low-voltage integrated circuits of SPICs, the approaches both at home and abroad are through an external circuit to convert high voltage into low-voltage power supply or directly through an external battery to provide energy, both methods not only increase the volume of power electronic systems, but also increase the application cost of SPICs and reduce the reliability. In order to solve the above shortcomings, this project aims to develop low-cost SPICs with independent intellectual property rights, and both positive and negative low-voltage power supplies are integrated in the SPICs. The project will develop a low-cost CMOS-compatible process, design OPTimization Varied Lateral Doping (OPT-VLD) LDMOS device and the integrated low-voltage power supply bade on physical mechanisms of power semiconductor devices. The high efficiency positive and negative low voltage power supply converting circuit and processing circuit in SPICs also will be designed. The implement of this project has important significance for developing cost-effective SPICs with independent intellectual property rights.
智能功率集成电路(SPICs)是功率半导体领域最为活跃的研究方向之一,市场广阔、应用广泛,而我国目前主要依赖进口,发展我国自主知识产权的SPICs相关技术和产品已迫在眉睫。为保证SPICs中的低压集成电路的正常工作,目前国内外的方法均是通过外部电路将高压电源变为低压电源或直接用外部电池来为其提供电能,不仅增大了电力电子系统的体积,还增加了SPICs的应用成本并降低了可靠性。本项目旨在研发一种低成本的集成于SPICs内的正、负低压电源,从而解决上述问题。本项目将开发与CMOS兼容的低成本工艺,并从功率半导体器件的物理机制出发,基于自主知识产权设计横向优化变掺杂(OPT-VLD)LDMOS器件及与其集成的低压电源,并设计出正负低压电源的高效转换及处理的CMOS电路,以满足SPICs中低压电路的电源要求。本项目的开展将对发展自主知识权、高性价比的SPICs具有重要意义。

结项摘要

为解决智能功率集成电路(SPICs)中的低压电路的自供电难题,对基于自主知识产权的高压功率器件中产生可集成的低压电源的理论进行了研究,并进行了流片实验,实验验证结果表明,该理论具有可行性,为该理论的进一步应用奠定了基础;在项目的执行过程中,发明了一种新型的正电源转负电源的技术理论并进行了研究,仿真分析和流片实验结果表明,该技术具有可行性,为该理论的进一步应用奠定了基础;与此同时该专利还发明了一种负电源转正电源的电路;提出了两种具有较高温度稳定性的新型稳压电路(正电源稳压电路和负电源稳压电路),并完成了仿真和实验研究。在本项目的支持下,申请了中国专利2项,在国际刊物上发表的主要论文共有7篇(其中SCI论文4篇,IEEE国际会议论文3篇)。本项目的实施和所产生的研究成果表明,该项目具有市场应用价值和学术价值。

项目成果

期刊论文数量(4)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(3)
专利数量(2)
A Novel High-Voltage Pseudo-p-LDMOS Device With Three Current Conductive Paths
一种具有三个电流传导路径的新型高压伪p-LDMOS器件
  • DOI:
    10.1109/ted.2018.2882016
  • 发表时间:
    2019-01
  • 期刊:
    IEEE Transactions on Electron Devices
  • 影响因子:
    3.1
  • 作者:
    Moufu Kong;Bo Yi;Bingke Zhang
  • 通讯作者:
    Bingke Zhang
An Ultralow Turn-Off Loss SOI-LIGBT With a High-Voltage p-i-n Diode Integrated on Field Oxide
具有集成在场氧化物上的高压 p-i-n 二极管的超低关断损耗 SOI-LIGBT
  • DOI:
    10.1109/ted.2019.2898232
  • 发表时间:
    2019-02
  • 期刊:
    IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES
  • 影响因子:
    3.1
  • 作者:
    Jiayu Wu;Moufu Kong;Bo Yi;Xing Bi Chen
  • 通讯作者:
    Xing Bi Chen
A dual channel three-terminal np-LDMOS with both majorities for conduction
一种双通道三端 np-LDMOS,大部分用于导通
  • DOI:
    10.1016/j.spmi.2017.12.028
  • 发表时间:
    2017-12
  • 期刊:
    Superlattices and Microstructures
  • 影响因子:
    3.1
  • 作者:
    Kong Moufu;Yi Bo;Zhang Bingke
  • 通讯作者:
    Zhang Bingke
Simulation Study of a p-LDMOS With Double Electron Paths to Enhance Current Capability
具有双电子路径的 p-LDMOS 增强电流能力的仿真研究
  • DOI:
    10.1109/led.2018.2870582
  • 发表时间:
    2018-09
  • 期刊:
    IEEE Electron Device Letters
  • 影响因子:
    4.9
  • 作者:
    Bo Yi;Moufu Kong;JunJi Cheng
  • 通讯作者:
    JunJi Cheng

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其他文献

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新型碳化硅MOSFET功率器件的研究
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  • 项目类别:
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课题项目:调控A型流感病毒诱导IFN-β表达的机制研究

AI项目摘要:

本研究聚焦于TRIM2蛋白在A型流感病毒诱导的IFN-β表达中的调控机制。A型流感病毒是全球性健康问题,其感染可导致严重的呼吸道疾病。IFN-β作为关键的抗病毒因子,其表达水平对抗病毒防御至关重要。然而,TRIM2如何调控IFN-β的表达尚未明确。本研究假设TRIM2通过与病毒RNA或宿主因子相互作用,影响IFN-β的产生。我们将采用分子生物学、细胞生物学和免疫学方法,探索TRIM2与A型流感病毒诱导IFN-β表达的关系。预期结果将揭示TRIM2在抗病毒免疫反应中的作用,为开发新的抗病毒策略提供理论基础。该研究对理解宿主抗病毒机制具有重要科学意义,并可能对临床治疗流感病毒感染提供新的视角。

AI项目思路:

科学问题:TRIM2如何调控A型流感病毒诱导的IFN-β表达?
前期研究:已有研究表明TRIM2参与抗病毒反应,但其具体机制尚不明确。
研究创新点:本研究将深入探讨TRIM2在IFN-β表达中的直接作用机制。
技术路线:包括病毒学、分子生物学、细胞培养和免疫检测技术。
关键技术:TRIM2与病毒RNA的相互作用分析,IFN-β启动子活性检测。
实验模型:使用A型流感病毒感染的细胞模型进行研究。

AI技术路线图

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          A[研究起始] --> B[文献回顾与假设提出]
          B --> C[实验设计与方法学准备]
          C --> D[A型流感病毒感染模型建立]
          D --> E[TRIM2与病毒RNA相互作用分析]
          E --> F[TRIM2对IFN-β启动子活性的影响]
          F --> G[IFN-β表达水平测定]
          G --> H[TRIM2功能丧失与获得研究]
          H --> I[数据收集与分析]
          I --> J[结果解释与科学验证]
          J --> K[研究结论与未来方向]
          K --> L[研究结束]
      
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