微区分子束外延生长SiGe/Si异质结构中边缘效应研究
项目介绍
AI项目解读
基本信息
- 批准号:60376012
- 项目类别:面上项目
- 资助金额:22.0万
- 负责人:
- 依托单位:
- 学科分类:F0401.半导体材料
- 结题年份:2006
- 批准年份:2003
- 项目状态:已结题
- 起止时间:2004-01-01 至2006-12-31
- 项目参与者:孙燕清; 樊永良; 秦娟; 路向党; 杨鸿斌;
- 关键词:
项目摘要
半导体器件尺寸的日益缩小,使制作器件的材料的边缘所特有的某些效应,对于材料与器件的影响越来越显著.申请人近期研究发现,在微区外延SiGe/Si异质结构材料时,当窗口尺寸小于20微米时,随着窗口尺寸减小,在SiGe/Si的失配位错减少的同时,发生了应变弛豫反常增加的现象。研究表明,这一现象是掩膜和外延膜的边缘效应引起的。众所周知,应变异质结构材料的许多物理性质都与材料的应变有着密切关系。本项申请是在上述研究的基础上,将对微区外延中,掩膜和外延膜的边缘效应,以及边缘效应引起的异质结材料的应变,失配位错,退火效应,SiGe/Si结特性及其他物理性质的变化,进行深入系统的研究。并利用边缘效应试研制全弛豫的SiGe膜与应变Si膜,为研制高速MOS器件探索研制材料的途径。本项研究的结果不仅对于SiGe/Si材料与器件有重要的意义,而且对与其它半导体异质结材料和器件有重要的应用价值。
结项摘要
项目成果
期刊论文数量(2)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
MBE growth of highly relaxed S
高度松弛S的MBE生长
- DOI:--
- 发表时间:--
- 期刊:
- 影响因子:--
- 作者:Lu xiangdang, Zhang Xiangjiu,
- 通讯作者:Lu xiangdang, Zhang Xiangjiu,
The influence of the edge effe
边缘效应的影响
- DOI:--
- 发表时间:--
- 期刊:
- 影响因子:--
- 作者:Hongbin Yang, Xiangjiu Zhang,
- 通讯作者:Hongbin Yang, Xiangjiu Zhang,
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其他文献
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