纳米金柱阵列的制备及场电离特性研究

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项目介绍
AI项目解读

基本信息

  • 批准号:
    11075121
  • 项目类别:
    面上项目
  • 资助金额:
    46.0万
  • 负责人:
  • 依托单位:
  • 学科分类:
    A3003.离子注入及离子束材料改性
  • 结题年份:
    2013
  • 批准年份:
    2010
  • 项目状态:
    已结题
  • 起止时间:
    2011-01-01 至2013-12-31

项目摘要

场电离是纳米尖端附近气体分子通过量子隧道效应发射离子的过程,本项目用电化学沉积技术在多孔铝模板上形成纳米金柱阵列,用场发射/场电离(FE/FI)综合测试仪测定其场发射和场电离特性,研究He、氢、氘等气体在纳米针尖强电场作用下产生离子的过程。在FE/FI测试仪上安装飞行时间质谱,对纳米阵列的元素成分进行原位测试,确定纳米柱吸附的杂质元素对场电离特性的影响。用高分辨透射电镜测定纳米金柱的晶体结构,系统研究纳米阵列的场电离开启电压、离子束流与纳米柱的结构、缺陷、杂质的关系和物理机制,优化工艺参数,找到制备高品质带刺纳米金柱阵列的实验条件,使离子发射束流达到mA级,为利用纳米阵列制作场电离粒子源提供科学依据。

结项摘要

本项目发展了电化学制备纳米金柱阵列的方法,获得了垂直取向排列的纳米金柱阵列。设计了场发射-场电离测量装置,采取更换纳米阵列电压极性的方法测量场发射和场电离电流,测量由计算机程序Labview控制,自动完成设定电压范围测量。用该装置测量了碳纳米管、纳米金柱、ZnO纳米阵列等材料的场发射、场电离特性,观察到较强的场发射束流、较低的开启电压和较高的击穿电压,在He,Ar,N2,空气气氛中测量了纳米阵列的探测和传感能力。

项目成果

期刊论文数量(6)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Structural and magnetic characterization of cobalt implanted GaN films
钴注入 GaN 薄膜的结构和磁性表征
  • DOI:
    10.1016/j.nimb.2011.03.002
  • 发表时间:
    2011-05-15
  • 期刊:
    NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS
  • 影响因子:
    1.3
  • 作者:
    He, J.;Wang, Z. S.;Fu, D. J.
  • 通讯作者:
    Fu, D. J.
Electrical properties and carrier transport mechanisms of nonvolatile memory devices based on randomly oriented ZnO nanowire networks
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  • DOI:
    10.1002/pssr.201105146
  • 发表时间:
    2011-07
  • 期刊:
    Physica Status Solidi-Rapid Research Letters
  • 影响因子:
    2.8
  • 作者:
    Wang, H. J.;Zou, C. W.;Zhou, L.;Tian, C. X.;Lee, M. K.;Lee, J. C.;Kang, T. W.;Fu, D. J.
  • 通讯作者:
    Fu, D. J.
Nitrogen-doped ZnO nanorods prepared by hydrothermal diffusion
水热扩散法制备氮掺杂ZnO纳米棒
  • DOI:
    10.1016/j.matlet.2012.06.104
  • 发表时间:
    2012-10
  • 期刊:
    Materials Letters
  • 影响因子:
    3
  • 作者:
    Wang, Lingling;Lin, Baozhu;Zhou, Lin;Shang, Yan Xia;Panin, Gannidy N.;Fu, Dejun
  • 通讯作者:
    Fu, Dejun
纳米材料场发射-场电离测量系统
  • DOI:
    --
  • 发表时间:
    2012
  • 期刊:
    Plasma Science and Technology
  • 影响因子:
    1.7
  • 作者:
    Wang Zesong;Zhang Zaodi;He Jun;Lee, Jae Choon;Liu Chuansheng;Wu Xianying;Fu Dejun
  • 通讯作者:
    Fu Dejun
Enhanced field emission from self-assembled ZnO nanorods on graphene/Ni/Si substrates
石墨烯/Ni/Si 基底上自组装 ZnO 纳米棒的增强场发射
  • DOI:
    10.1016/j.matlet.2013.08.124
  • 发表时间:
    2013-12
  • 期刊:
    Materials Letters
  • 影响因子:
    3
  • 作者:
    Lingling Wang;Maiphi Hung;Gennady N. Panin;Taewon Kang;D.J. Fu
  • 通讯作者:
    D.J. Fu

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AI项目解读示例

课题项目:调控A型流感病毒诱导IFN-β表达的机制研究

AI项目摘要:

本研究聚焦于TRIM2蛋白在A型流感病毒诱导的IFN-β表达中的调控机制。A型流感病毒是全球性健康问题,其感染可导致严重的呼吸道疾病。IFN-β作为关键的抗病毒因子,其表达水平对抗病毒防御至关重要。然而,TRIM2如何调控IFN-β的表达尚未明确。本研究假设TRIM2通过与病毒RNA或宿主因子相互作用,影响IFN-β的产生。我们将采用分子生物学、细胞生物学和免疫学方法,探索TRIM2与A型流感病毒诱导IFN-β表达的关系。预期结果将揭示TRIM2在抗病毒免疫反应中的作用,为开发新的抗病毒策略提供理论基础。该研究对理解宿主抗病毒机制具有重要科学意义,并可能对临床治疗流感病毒感染提供新的视角。

AI项目思路:

科学问题:TRIM2如何调控A型流感病毒诱导的IFN-β表达?
前期研究:已有研究表明TRIM2参与抗病毒反应,但其具体机制尚不明确。
研究创新点:本研究将深入探讨TRIM2在IFN-β表达中的直接作用机制。
技术路线:包括病毒学、分子生物学、细胞培养和免疫检测技术。
关键技术:TRIM2与病毒RNA的相互作用分析,IFN-β启动子活性检测。
实验模型:使用A型流感病毒感染的细胞模型进行研究。

AI技术路线图

        graph TD
          A[研究起始] --> B[文献回顾与假设提出]
          B --> C[实验设计与方法学准备]
          C --> D[A型流感病毒感染模型建立]
          D --> E[TRIM2与病毒RNA相互作用分析]
          E --> F[TRIM2对IFN-β启动子活性的影响]
          F --> G[IFN-β表达水平测定]
          G --> H[TRIM2功能丧失与获得研究]
          H --> I[数据收集与分析]
          I --> J[结果解释与科学验证]
          J --> K[研究结论与未来方向]
          K --> L[研究结束]
      
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