纳米金柱阵列的制备及场电离特性研究
项目介绍
AI项目解读
基本信息
- 批准号:11075121
- 项目类别:面上项目
- 资助金额:46.0万
- 负责人:
- 依托单位:
- 学科分类:A3003.离子注入及离子束材料改性
- 结题年份:2013
- 批准年份:2010
- 项目状态:已结题
- 起止时间:2011-01-01 至2013-12-31
- 项目参与者:叶明生; 李利华; 王红军; 黎明; 邓建伟; 邴丽娜; 张瑞; 王泽松;
- 关键词:
项目摘要
场电离是纳米尖端附近气体分子通过量子隧道效应发射离子的过程,本项目用电化学沉积技术在多孔铝模板上形成纳米金柱阵列,用场发射/场电离(FE/FI)综合测试仪测定其场发射和场电离特性,研究He、氢、氘等气体在纳米针尖强电场作用下产生离子的过程。在FE/FI测试仪上安装飞行时间质谱,对纳米阵列的元素成分进行原位测试,确定纳米柱吸附的杂质元素对场电离特性的影响。用高分辨透射电镜测定纳米金柱的晶体结构,系统研究纳米阵列的场电离开启电压、离子束流与纳米柱的结构、缺陷、杂质的关系和物理机制,优化工艺参数,找到制备高品质带刺纳米金柱阵列的实验条件,使离子发射束流达到mA级,为利用纳米阵列制作场电离粒子源提供科学依据。
结项摘要
本项目发展了电化学制备纳米金柱阵列的方法,获得了垂直取向排列的纳米金柱阵列。设计了场发射-场电离测量装置,采取更换纳米阵列电压极性的方法测量场发射和场电离电流,测量由计算机程序Labview控制,自动完成设定电压范围测量。用该装置测量了碳纳米管、纳米金柱、ZnO纳米阵列等材料的场发射、场电离特性,观察到较强的场发射束流、较低的开启电压和较高的击穿电压,在He,Ar,N2,空气气氛中测量了纳米阵列的探测和传感能力。
项目成果
期刊论文数量(6)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Structural and magnetic characterization of cobalt implanted GaN films
钴注入 GaN 薄膜的结构和磁性表征
- DOI:10.1016/j.nimb.2011.03.002
- 发表时间:2011-05-15
- 期刊:NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS
- 影响因子:1.3
- 作者:He, J.;Wang, Z. S.;Fu, D. J.
- 通讯作者:Fu, D. J.
Electrical properties and carrier transport mechanisms of nonvolatile memory devices based on randomly oriented ZnO nanowire networks
基于随机取向ZnO纳米线网络的非易失性存储器件的电性能和载流子传输机制
- DOI:10.1002/pssr.201105146
- 发表时间:2011-07
- 期刊:Physica Status Solidi-Rapid Research Letters
- 影响因子:2.8
- 作者:Wang, H. J.;Zou, C. W.;Zhou, L.;Tian, C. X.;Lee, M. K.;Lee, J. C.;Kang, T. W.;Fu, D. J.
- 通讯作者:Fu, D. J.
Nitrogen-doped ZnO nanorods prepared by hydrothermal diffusion
水热扩散法制备氮掺杂ZnO纳米棒
- DOI:10.1016/j.matlet.2012.06.104
- 发表时间:2012-10
- 期刊:Materials Letters
- 影响因子:3
- 作者:Wang, Lingling;Lin, Baozhu;Zhou, Lin;Shang, Yan Xia;Panin, Gannidy N.;Fu, Dejun
- 通讯作者:Fu, Dejun
纳米材料场发射-场电离测量系统
- DOI:--
- 发表时间:2012
- 期刊:Plasma Science and Technology
- 影响因子:1.7
- 作者:Wang Zesong;Zhang Zaodi;He Jun;Lee, Jae Choon;Liu Chuansheng;Wu Xianying;Fu Dejun
- 通讯作者:Fu Dejun
Enhanced field emission from self-assembled ZnO nanorods on graphene/Ni/Si substrates
石墨烯/Ni/Si 基底上自组装 ZnO 纳米棒的增强场发射
- DOI:10.1016/j.matlet.2013.08.124
- 发表时间:2013-12
- 期刊:Materials Letters
- 影响因子:3
- 作者:Lingling Wang;Maiphi Hung;Gennady N. Panin;Taewon Kang;D.J. Fu
- 通讯作者:D.J. Fu
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- 影响因子:1.7
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