等离子体引发高分子电致发光材料表面功能化研究

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基本信息

  • 批准号：
    51177017
  • 项目类别：
    面上项目
  • 资助金额：
    62.0万
  • 负责人：
    区琼荣
  • 依托单位：
    复旦大学
  • 学科分类：
    E0705.高电压与放电
  • 结题年份：
    2015
  • 批准年份：
    2011
  • 项目状态：
    已结题
  • 起止时间：
    2012-01-01 至2015-12-31

项目摘要

针对有机高分子光电材料存在的团聚严重、表面惰性、溶解性差，以及高发光效率和高载流子迁移率不可兼顾等问题，通过等离子体引发表面接枝功能化技术，接枝上各种助色功能基团：-OR、-NR2、-OH等，在不改变分子的主体"骨架"的基础上，一方面，改善材料的分散性和溶解性，同时增强材料界面的结合力度；另一方面，增大分子共轭体系，增强分子刚性，优化界面能级结构。研究高分子光电材料表面功能化、分散性和溶解性改性机制，深入理解高分子光电材料的表面特性与等离子体气氛之间的内在联系，实现表面功能设计和调控，发展适用于PLED印刷加工技术，并兼顾高光效和高迁移率的高分子光电材料，最终解决白光PLED的光效和寿命问题。建立"等离子体气氛-界面成分结构-界面特性-PLED综合性能"的内在关联，将等离子体表面功能化技术引入PLED材料表面和器件界面修饰研究和生产中，促进PLED印刷加工技术实用化和产业化进程。

结项摘要

本项目通过以下四方面深入研究了等离子体技术在有机电致发光材料功能化及器件界面修饰中的应用基础和机理研究，拓展了等离子体在有机电子学领域的应用。.Alq3接枝NH2-基改善溶解性研究：通过控制氨气等离子体反应气氛，成功将NH2-基接枝到Alq3分子上，获得良好溶解性，并且，能级结构及发光性质均无显著变化，很好地保留了其光电特性，基本达到预期研究目的。此研究为Alq3等有机光电材料的改性研究提供一条新的技术路线。.合成热活延时荧光材料（TADF）的研究：通过氩等离子体激活咔唑和邻苯二甲腈的混合蒸气，使二者发生反应，生成物吸附于收集板上。对反应产物进行分离和系列表征分析，发现产物的吸收谱相对咔唑发生蓝移，产物能带变宽，其荧光发射光谱在紫外区出现两个发射峰，产物的红外光谱中含有原料的特征吸收峰。可以确定在等离子体反应区生成的产物是一分子咔唑在邻苯二甲腈苯环上的取代物，这是一种有机电致发光器件用的TADF材料。.ITO透明电极表面修饰及其表面功函数衰退机理研究：提高ITO表面功函数可大幅降低OLED器件电压，从而提高器件光效和稳定性。本研究首次报导了PIII修饰ITO表面功函数的技术方法和原理，取得6.1eV高功函数的ITO透明电极，并应用于OLED器件。经PIII处理过的ITO表面功函数高于无离子注入的氧等子体处理的ITO，功函数衰退速度也大幅慢于后者。无注入的ITO表面功函数长时间衰退后，衰退回到处理前值，而PIII修饰过的ITO经长时间衰退后仍然有0.4eV以上的功函数净增量。经等离子体处理后的ITO表面功函数存在衰减现象，研究其衰退机理对ITO表面修饰及其应用有重要指导意义。本研究长时间跟踪，系统研究了ITO表面功函数的衰退机制，首次采用指数+线性模型很好地拟合了经等离子体处理后的ITO表面功函数衰退过程曲线。.OLED器件制备方法: 正交溶液法制备多层有机膜技术受限于水溶性有机光电材料的缺乏，溶液法制备多层有机膜是长期制约OLED等有机电子器件发展的重要问题之一。我们成功应用等离子体引发表面交联法液相制备了多层OLED器件，并成功点亮，证明了此方法的可行性。此成果是本研究的原创工作，是目前除正交溶液法之外的第二种实用溶液法制备多层OLED器件的方法，具有广泛的适应性，可望发展成有机电子器件（包括OLED、OPV、OTFT等）主流的制备技术之一。

项目成果

期刊论文数量（17）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（8）
专利数量（7）
Experimental Investigation of Surface Wave Plasma Excited by a Cylindrical Dielectric Rod
圆柱形介质棒激发表面波等离子体的实验研究
  • DOI：
    10.1088/1009-0630/16/2/06
  • 发表时间：
    2014-02
  • 期刊：
    Plasma Science and Technology
  • 影响因子：
    1.7
  • 作者：
    Yan Hang;Chen Zhenliu;Ou Qiongrong;Liang Rongqing
  • 通讯作者：
    Liang Rongqing
Work function changes of plasma treated indium tin oxide
等离子体处理氧化铟锡的功函数变化
  • DOI：
    10.1016/j.orgel.2014.05.008
  • 发表时间：
    2014-08-01
  • 期刊：
    ORGANIC ELECTRONICS
  • 影响因子：
    3.2
  • 作者：
    He, Kongduo;Yang, Xilu;Liang, Rongqing
  • 通讯作者：
    Liang, Rongqing
Surface modification of indium tin oxide by oxygen plasma immersion ion implantation
氧等离子体浸没离子注入对氧化铟锡进行表面改性
  • DOI：
    10.1007/s11431-013-5160-2
  • 发表时间：
    2013-02
  • 期刊：
    Science in China - Series E: Technological Sciences
  • 影响因子：
    --
  • 作者：
    He, Long;Fan, Xiaoxuan;Ou, Qiongrong;Liang, Rongqing
  • 通讯作者：
    Liang, Rongqing
Work function enhancement of indium tin oxide via oxygen plasma immersion ion implantation
氧等离子体浸没离子注入增强氧化铟锡的功函数
  • DOI：
    --
  • 发表时间：
    2013
  • 期刊：
    Plasma Science and Technology
  • 影响因子：
    1.7
  • 作者：
    Ai, Qi;Fan, Xiaoxuan;Ou, Qiongrong;Liang, Rongqing
  • 通讯作者：
    Liang, Rongqing
PHOTOLUMINESCENCE ENHANCEMENT AND THERMAL PERFORMANCE OF SURFACE MODIFIED Y3Al5O12:Ce3+ PHOSPHOR BY CHEMICAL WET ETCHING
化学湿法刻蚀表面改性Y3Al5O12:Ce3荧光粉的光致发光增强及热性能
  • DOI：
    10.1142/s1793604713500082
  • 发表时间：
    2013-03
  • 期刊：
    Functional Materials Letters
  • 影响因子：
    1.3
  • 作者：
    Cheng, Weihai;Ju, Jiaqi;Ou, Qiongrong;Liang, Rongqing
  • 通讯作者：
    Liang, Rongqing

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区琼荣的其他基金

等离子体共轭交联石墨烯3D超级电容电极
  • 批准号：
    11975081
  • 批准年份：
    2019
  • 资助金额：
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  • 项目类别：
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课题项目：调控A型流感病毒诱导IFN-β表达的机制研究

AI项目摘要：

本研究聚焦于TRIM2蛋白在A型流感病毒诱导的IFN-β表达中的调控机制。A型流感病毒是全球性健康问题，其感染可导致严重的呼吸道疾病。IFN-β作为关键的抗病毒因子，其表达水平对抗病毒防御至关重要。然而，TRIM2如何调控IFN-β的表达尚未明确。本研究假设TRIM2通过与病毒RNA或宿主因子相互作用，影响IFN-β的产生。我们将采用分子生物学、细胞生物学和免疫学方法，探索TRIM2与A型流感病毒诱导IFN-β表达的关系。预期结果将揭示TRIM2在抗病毒免疫反应中的作用，为开发新的抗病毒策略提供理论基础。该研究对理解宿主抗病毒机制具有重要科学意义，并可能对临床治疗流感病毒感染提供新的视角。

AI项目思路：

科学问题：TRIM2如何调控A型流感病毒诱导的IFN-β表达？
前期研究：已有研究表明TRIM2参与抗病毒反应，但其具体机制尚不明确。
研究创新点：本研究将深入探讨TRIM2在IFN-β表达中的直接作用机制。
技术路线：包括病毒学、分子生物学、细胞培养和免疫检测技术。
关键技术：TRIM2与病毒RNA的相互作用分析，IFN-β启动子活性检测。
实验模型：使用A型流感病毒感染的细胞模型进行研究。

AI技术路线图

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          A[研究起始] --> B[文献回顾与假设提出]
          B --> C[实验设计与方法学准备]
          C --> D[A型流感病毒感染模型建立]
          D --> E[TRIM2与病毒RNA相互作用分析]
          E --> F[TRIM2对IFN-β启动子活性的影响]
          F --> G[IFN-β表达水平测定]
          G --> H[TRIM2功能丧失与获得研究]
          H --> I[数据收集与分析]
          I --> J[结果解释与科学验证]
          J --> K[研究结论与未来方向]
          K --> L[研究结束]
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