用晶界取向理论指导高质量铁硅半导体膜的离子
项目介绍
AI项目解读
基本信息
- 批准号:59872007
- 项目类别:面上项目
- 资助金额:20.0万
- 负责人:
- 依托单位:
- 学科分类:E0207.无机非金属半导体与信息功能材料
- 结题年份:2001
- 批准年份:1998
- 项目状态:已结题
- 起止时间:1999-01-01 至2001-12-31
- 项目参与者:李晓娜; 张利明; 何欢; 周庆刚;
- 关键词:
项目摘要
β型铁硅相是重要窄带隙半导体金属硅化物,但难以制备高质量薄膜。本研究应用0点阵晶界取向理论,计算出最佳点阵常数匹配和硅基体晶片取向,以此指导离子注入工艺制备高质量薄膜,并利用现代分析电镜进行膜层结构的表征,从结构设计入手解决膜与硅基体的错配问题,为将来建立制备工艺、结构和性能三者的关系打下基础。
结项摘要
项目成果
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