硅基热氧化薄膜驻极体的电荷贮存机制研究
项目介绍
AI项目解读
基本信息
- 批准号:59372109
- 项目类别:面上项目
- 资助金额:6.0万
- 负责人:
- 依托单位:
- 学科分类:E0208.无机非金属能量转换与存储材料
- 结题年份:1996
- 批准年份:1993
- 项目状态:已结题
- 起止时间:1994-01-01 至1996-12-31
- 项目参与者:徐政; 张伟达; 王艳; 夏佩芬; 费彦; 朱建伟;
- 关键词:
项目摘要
以半导体掩膜生产的热氧化,LPcvd,玻璃熔凝工艺与恒温恒压电晕注极,分别制备基SiO2、Si3N4,与SAP等单质与多质复合的薄膜驻极体,以表面电位,C-V曲线,TSD电流谱研究其驻极、衰减、电荷重心位置与电荷贮存能阱机制。研究表明SiO2/Si有较好驻极体性能,Vso/Vg>90%,电荷重心远离界面,驻极电荷的贮存能阱主要为非晶结构的非桥键悬挂氧-O,基片掺杂的电子态与界面态影响较微;基片掺杂浓度与SiO2表面的亲水性对衰减影响较大。Si3N4/SiO2复合膜的驻极性能更好,Vso/Vg≥98%,电荷重心在Si3N4层内,SiO2膜起了高阻介质层作用,但表面必须进行疏水性处理。SAP驻极体膜有很好的正与负驻极体性能,致密抗水,工艺简便,可进行组份与配比设计,是值得研究开发的新领域。
结项摘要
项目成果
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- 发表时间:2013
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- 通讯作者:赵明洲
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