基于压电应变栅氧化物薄膜晶体管的柔性触觉传感器研究

结题报告
项目介绍
AI项目解读

基本信息

  • 批准号:
    61871195
  • 项目类别:
    面上项目
  • 资助金额:
    62.0万
  • 负责人:
  • 依托单位:
  • 学科分类:
    F0123.敏感电子学与传感器
  • 结题年份:
    2022
  • 批准年份:
    2018
  • 项目状态:
    已结题
  • 起止时间:
    2019-01-01 至2022-12-31

项目摘要

Wearable flexible tactile sensors are widely used in in humanoid robots, human-robot interaction, electronic skin and so on. Piezoelectric tactile sensor has the advantages of fast dynamic response, high sensitivity, low energy consumption and even self-powered. In this project, aiming at the problems in the integrated piezoelectric flexible tactile sensor based on organic thin film transistor, such as small selection range of piezoelectric materials, low sensitivity, slow response speed, high operation voltage, a novel flexible tactile sensor based on piezoelectric-strained-gate oxide-semiconductor thin-film transistor (PGOSTFT) is proposed. Its outstanding feature is that a symmetrical dual-gate structure with top-gate and bottom gates is used with the high-mobility metal oxide semiconductor as the active layer, and the novel ZnO nanostructure with high piezoelectric coefficient and high flexibility acts as the piezoelectric-strained top-gate, thus simultaneously realizing the switch, sensing and signal amplification. This project will systematically study the tactile sensing mechanism, the gate-bias-controlled sensitivity mechanism, the cyclic bending degradation mechanism and so on. For device fabrication and process optimization, the dependence of device performance on device structure parameters, process parameters and shape of ZnO nanostructures will investigated. It is expected that a flexible tactile sensor with high sensitivity, fast dynamic response, low power consumption and high flexibility would be achieved.
可穿戴柔性触觉传感器在机器人、人机交互、电子皮肤等领域具有广泛的应用。压电式触觉传感器具有快速动态响应、高灵敏度、低能耗甚至自供电等优点。本项目针对目前基于有机薄膜晶体管的集成压电柔性触觉传感中存在的压电材料选择范围小、灵敏度不高、响应速度较慢、工作电压偏大等问题,创新地提出一种基于压电应变栅氧化物薄膜晶体管(PGOSTFT)的柔性触觉传感器,其突出特征是TFT采用上下对称双栅结构,有源层为高迁移率的氧化物半导体,高压电系数和高柔韧性的ZnO纳米结构充当压电应变顶栅,从而同时实现开关、传感和信号放大三大作用。本项目拟从理论系统研究压电触觉传感机理、灵敏度栅压调制机理、循环弯曲退化机理等;工艺层面探明器件性能与器件结构参数、工艺参数、ZnO纳米结构形状等之间内存关联及其规律,期望研制出一种具有高灵敏度、快速动态响应、低功耗和高柔韧性的集成柔性触觉传感器。

结项摘要

可穿戴柔性触觉传感器在在人体活动监测、医疗保健、疾病诊断、人工智能等领域具有广泛的应用前景。压电式触觉传感器因更接近人体的触觉感知,且具有快速动态响应、高灵敏度、低能耗甚至自供电等独特优势而倍受关注。围绕实现高灵敏度、高分辨率、快速响应、优异的柔弹性和稳定性等方面开展理论与实验研究具有重要科学意义和应用价值。.本项目针对目前基于有机薄膜晶体管的集成压电柔性触觉传感中存在的压电材料选择范围小、灵敏度不高、响应速度较慢、工作电压偏大等问题,提出了一种基于压电应变栅氧化物薄膜晶体管(PGOSTFT)的集成化触觉传感器,主要研究内容与重要成果如下:.(1)基于ZnO纳米结构柔性触觉传感器及其阵列研究,主要包括ZnO纳米材料的压电效应理论与仿真研究,ZnO纳米压电材料合成工艺与性能优化,基于ZnO纳米材料的柔性触觉传感器的结构设计、可控制备工艺与性能表征等。成功制备出一系列高性能柔性触觉传感器原型器件,器件最佳灵敏度达3.0 V/N,响应时间和恢复时间皆<50 ms,验证了其在压力及力分布探测、人体运动实时监测、生命体征监测等领域应用的可能性。.(2)基于氧化物半导体的薄膜晶体管与电路研究,主要包括ZnO基TFT低温制备工艺与性能优化,基于ZnO基TFT的放大电路设计与流片实现,探索基于ZnO基TFT传感器调理电路实现的可能性。基于PI柔性的单个IZO TFT器件的迁移率>30 cm^2/(Vs),开关电流比>5*10^6,亚阈值摆幅<0.2 mV/Dec。与我校材料学院吴为敬教授合作,设计实现了基于n沟IZO TFT 50 dB增益的集成运算放大器。.(3)基于压电应变栅氧化物薄膜晶体管(PGOSTFT)的集成化触觉传感器研究,包括集成器件的结构设计、压电机理、制备工艺与性能优化等。集成传感器最高灵敏度为0.57 kPa^-1,灵敏度调控比为157.6,在35 mg干菊花重力作用下集成传感器的输出电压达250 mV。

项目成果

期刊论文数量(18)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(5)
Shot noise model of the short channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistor
短沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的散粒噪声模型
  • DOI:
    10.7498/aps.69.20200497
  • 发表时间:
    2020
  • 期刊:
    Acta Physica Sinica
  • 影响因子:
    1
  • 作者:
    Zhang Meng;Yao Ruo-He;Liu Yu-Rong;Geng Kui-Wei
  • 通讯作者:
    Geng Kui-Wei
一个圆柱形双栅场效应晶体管的物理模型
  • DOI:
    --
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
    Acta Physica Sinica
  • 影响因子:
    1
  • 作者:
    刘佳文;姚若河;刘玉荣;耿魁伟
  • 通讯作者:
    耿魁伟
Temperature dependence of the electrical characteristics of ZnO thin film transistor with high-k NbLaO gate dielectric
高 k NbLaO 栅极电介质 ZnO 薄膜晶体管电特性的温度依赖性
  • DOI:
    10.1116/6.0000522
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
    JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B
  • 影响因子:
    1.4
  • 作者:
    Li Hong-cheng;Liu Yu-rong;Geng Kui-wei;Wu Wei-jing;Yao Ruo-he;Lai Pui-to
  • 通讯作者:
    Lai Pui-to
Design of three-dimensional force sensor based on PVDF
基于PVDF的三维力传感器设计
  • DOI:
    --
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
    Chinese Journal of Scientific Instrument
  • 影响因子:
    --
  • 作者:
    Zhang Yanfang;Liu Yurong;Xu Zhangcheng
  • 通讯作者:
    Xu Zhangcheng
基于MoS_2/Graphene复合材料的摩擦纳米发电机
  • DOI:
    10.12141/j.issn.1000-565x.190642
  • 发表时间:
    2020
  • 期刊:
    华南理工大学学报. 自然科学版
  • 影响因子:
    --
  • 作者:
    耿魁伟;徐志平;李徐
  • 通讯作者:
    李徐

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其他文献

STUDY ON EXTRACTING METHODS OF BURIED GEOLOGICAL INFORMATION IN HUAIBEI COAL FIELD
淮北煤田埋藏地质信息提取方法研究
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    --
  • 发表时间:
    1999-09-14
  • 期刊:
  • 影响因子:
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  • 作者:
    王四龙;赵学军;凌贻棕;刘玉荣;宁书年;侯德文
  • 通讯作者:
    侯德文
Finite-horizon state estimation for time-varying complex networks with random coupling strengths under Round-Robin protocol
Round-Robin协议下具有随机耦合强度的时变复杂网络的有限视野状态估计
  • DOI:
    --
  • 发表时间:
    2018
  • 期刊:
    Journal of the Franklin Institute
  • 影响因子:
    --
  • 作者:
    盛立;牛艺春;邹磊;刘玉荣;Fuad E. Alsaadi
  • 通讯作者:
    Fuad E. Alsaadi
Instability of Indium Zinc Oxide Thin-Film&nbsp;Transistors Under Transmission&nbsp;Line Pulsed Stress
氧化铟锌薄膜的不稳定性
  • DOI:
    --
  • 发表时间:
    2014
  • 期刊:
    IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS
  • 影响因子:
    4.9
  • 作者:
    Qian Shi;刘玉荣;恩云飞;李斌
  • 通讯作者:
    李斌
Robust H∞ control for T-S fuzzy systems subject to missing measurements with uncertain missing probabilities
针对具有不确定缺失概率的缺失测量的 T-S 模糊系统的鲁棒 H 控制
  • DOI:
    10.1016/j.neucom.2016.02.018
  • 发表时间:
    2016
  • 期刊:
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  • 影响因子:
    6
  • 作者:
    高明;盛立;刘玉荣
  • 通讯作者:
    刘玉荣
保持n-形式系统的Lie对称群约化及应用
  • DOI:
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  • 发表时间:
    --
  • 期刊:
    应用数学学报
  • 影响因子:
    --
  • 作者:
    黄德斌;赵晓华;于锋;刘玉荣
  • 通讯作者:
    刘玉荣

其他文献

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刘玉荣的其他基金

聚合物薄膜晶体管稳定性及其机理研究
  • 批准号:
    61076113
  • 批准年份:
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    面上项目

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课题项目:调控A型流感病毒诱导IFN-β表达的机制研究

AI项目摘要:

本研究聚焦于TRIM2蛋白在A型流感病毒诱导的IFN-β表达中的调控机制。A型流感病毒是全球性健康问题,其感染可导致严重的呼吸道疾病。IFN-β作为关键的抗病毒因子,其表达水平对抗病毒防御至关重要。然而,TRIM2如何调控IFN-β的表达尚未明确。本研究假设TRIM2通过与病毒RNA或宿主因子相互作用,影响IFN-β的产生。我们将采用分子生物学、细胞生物学和免疫学方法,探索TRIM2与A型流感病毒诱导IFN-β表达的关系。预期结果将揭示TRIM2在抗病毒免疫反应中的作用,为开发新的抗病毒策略提供理论基础。该研究对理解宿主抗病毒机制具有重要科学意义,并可能对临床治疗流感病毒感染提供新的视角。

AI项目思路:

科学问题:TRIM2如何调控A型流感病毒诱导的IFN-β表达?
前期研究:已有研究表明TRIM2参与抗病毒反应,但其具体机制尚不明确。
研究创新点:本研究将深入探讨TRIM2在IFN-β表达中的直接作用机制。
技术路线:包括病毒学、分子生物学、细胞培养和免疫检测技术。
关键技术:TRIM2与病毒RNA的相互作用分析,IFN-β启动子活性检测。
实验模型:使用A型流感病毒感染的细胞模型进行研究。

AI技术路线图

        graph TD
          A[研究起始] --> B[文献回顾与假设提出]
          B --> C[实验设计与方法学准备]
          C --> D[A型流感病毒感染模型建立]
          D --> E[TRIM2与病毒RNA相互作用分析]
          E --> F[TRIM2对IFN-β启动子活性的影响]
          F --> G[IFN-β表达水平测定]
          G --> H[TRIM2功能丧失与获得研究]
          H --> I[数据收集与分析]
          I --> J[结果解释与科学验证]
          J --> K[研究结论与未来方向]
          K --> L[研究结束]
      
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