V形p-n结InGaN半导体黄光LED光效提升的研究

项目介绍
AI项目解读

基本信息

  • 批准号：
  • 项目类别：
    面上项目
  • 资助金额：
    53万
  • 负责人：
    高江东
  • 依托单位：
    南昌大学
  • 学科分类：
  • 结题年份：
  • 批准年份：
    2022
  • 项目状态：
    未结题
  • 起止时间：
    2022至

项目摘要

暂未公布

结项摘要

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数据更新时间：2024-06-01

其他文献

垒温对硅衬底GaN基蓝光LED发光效率的影响
  • DOI：
    --
  • 发表时间：
    2016
  • 期刊：
    发光学报
  • 影响因子：
    --
  • 作者：
    高江东;刘军林;徐龙权;王光绪;丁杰;陶喜霞;张建立;潘拴;吴小明;莫春兰;王小兰;全知觉;郑畅达;方芳;江风益
  • 通讯作者：
    江风益
电子阻挡层Al组分对Si衬底GaN基黄光LED内量子效率的影响
  • DOI：
    --
  • 发表时间：
    2019
  • 期刊：
    发光学报
  • 影响因子：
    --
  • 作者：
    胡耀文;高江东;全知觉;张建立;潘拴;刘军林;江风益
  • 通讯作者：
    江风益
共 2 条
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  • 批准号：
    62274079
  • 批准年份：
    2022
  • 资助金额：
    53.00 万元
  • 项目类别：
    面上项目