新型室温Skyrmion材料及其宽温域的研究
项目介绍
AI项目解读
基本信息
- 批准号:11804211
- 项目类别:青年科学基金项目
- 资助金额:24.0万
- 负责人:
- 依托单位:
- 学科分类:A2007.磁学及自旋电子学
- 结题年份:2021
- 批准年份:2018
- 项目状态:已结题
- 起止时间:2019-01-01 至2021-12-31
- 项目参与者:周静; 田书凯; 张瑞婷; 范亚红;
- 关键词:
项目摘要
The magnetic vortex structure of skyrmion becomes a new potential magnetic storage of quantum information with ultra-high density and super-low energy consumption due to its huge advantages, such as topological stability, particle, and low current driven. However, it is a lack of research on room temperature magnetic S material with wide temperature range and small size. In this project, the broadening of temperature range for room temperature S phase will be studied. A series of β-Mn-type Co-Zn-Mn/Fe bulk and nanostructures will be prepared by flux growth method, optical floating zone, solution method and vapor phase transport method, respectively. The magnetic phase diagram will be obtained based on the phenomenon that the temperature range of S phase is related with the sample composition and morphology. The achievements of the project will provide experimental and theoretical basis for development of new materials for magnetic information memory with high density, high speed and low power consumption.
磁性斯格明子(Skyrmion,简称S)因具有拓扑稳定性、粒子性、以及低电流驱动等优点,被认为具有成为新一代超高密度、超低能耗的新型磁存储量子信息载体的潜力,但具有宽温域、小尺寸的室温磁性S材料尚缺乏研究。本项目拟对具有β-Mn结构的室温S材料Co-Zn-Mn/Fe合金展开S相宽温域化的探索研究。通过助熔剂生长法、光学浮区法、溶液生长法以及气相输运法等途径获得单晶Co-Zn-Mn/Fe块材以及纳米线样品,揭示S相存在的温度区间随成分以及样品形态的演化规律,建立体系的磁相图,为新一代高密度、高速度、低能耗磁信息存储器件的研制提供实验和理论依据。
结项摘要
磁性斯格明子(Skyrmion,简称S)因具有拓扑稳定性、粒子性、以及低电流驱动等优点,被认为具有成为新一代超高密度、超低能耗的新型磁存储量子信息载体的潜力,但具有宽温域、小尺寸的室温磁性S材料尚缺乏研究。本项目以β-Mn结构的室温S材料为研究对象,研究以CoZn为母体的单晶块材以及纳米线结构样品的制备,此外还尝试着研究了另一种非挥发性存储器,基于钙钛矿材料的阻变存储器。主要结果如下:(1)用直流电沉积的方法实现CoZn合金纳米线的可控制备,并且获得配置溶液中元素的比例等参数对于CoZn合金纳米线的成分和结构的影响机理;(2)采用快速加热和离心相结合的方法,可控合成特定尺寸和形貌低维的Y2O3,研究了其生长演化过程并详细阐明其形成机理;(3)获得了TE/CsPbBr3/BE结构的阻变器件,表现出典型的双极性阻变行为和优越的开关特性,包括高开/关比(≈10^4)、长数据保持时间(>5×10^4s)和环境稳定性。(4)通过一步化学气相沉积方法在柔性聚酰亚胺衬底上合成无铅全无机钙钛矿CsSnBr3薄膜,制备出环境友好型的阻变器件,表现出超低的开关电压(≈0.2/-0.15V)和高的开/关比(≈10^5)等优良性能。本项研究为新一代高密度、高速度、低能耗信息存储器件的研制提供实验和理论依据.
项目成果
期刊论文数量(6)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(1)
Tunable digital-to-analog switching in Nb2O5-based resistance switching devices by oxygen vacancy engineering
通过氧空位工程实现基于 Nb2O5 的电阻开关器件中的可调谐数模开关
- DOI:10.1016/j.apsusc.2021.152114
- 发表时间:--
- 期刊:Applied Surface Science
- 影响因子:6.7
- 作者:Jing Xu;Hongjun Wang;Yuanyuan Zhu;Yong Liu;Zhaorui Zou;Guoqiang Li;Rui Xiong
- 通讯作者:Rui Xiong
Fabrication of Flexible Resistive Switching Devices Based on Lead-Free All-Inorganic CsSnBr3 Perovskite Using a One-Step Chemical Vapor Deposition Method
一步化学气相沉积法制备基于无铅全无机 CsSnBr3 钙钛矿的柔性阻变器件
- DOI:10.1002/aelm.202000799
- 发表时间:2020
- 期刊:Advanced Electronic Materials
- 影响因子:6.2
- 作者:Hongjun Wang;Jiaquan Lin;Yuanyuan Zhu;Xiong Zeng;Hong Wei;Pengwei Cheng;Hongbing Lu;Yong Liu;Rui Xiong
- 通讯作者:Rui Xiong
Conductive Path Mechanism for Bipolar Resistive Switching Characteristics in Lead-Free Perovskite CsSnBr3-Based Nonvolatile Memories
无铅钙钛矿 CsSnBr3 基非易失性存储器中双极电阻开关特性的导电路径机制
- DOI:10.1007/s11356-013-2026-x
- 发表时间:2021
- 期刊:Physica Status Solidi (a) – Applications and Materials Science
- 影响因子:--
- 作者:Hongjun Wang;Hong Wei;Xiong Zeng;Jing Zhou;Yuanyuan Zhu
- 通讯作者:Yuanyuan Zhu
Bromine Vacancy Redistribution and Metallic-Ion-Migration-Induced Air-Stable Resistive Switching Behavior in All-Inorganic Perovskite CsPbBr3 Film-Based Memory Device
全无机钙钛矿 CsPbBr3 薄膜存储器件中溴空位重新分布和金属离子迁移引起的空气稳定电阻开关行为
- DOI:10.1002/aelm.201900754
- 发表时间:2020
- 期刊:Advanced Electronic Materials
- 影响因子:6.2
- 作者:Zhu Yuanyuan;Cheng Pengwei;Shi Jing;Wang Hongjun;Liu Yong;Xiong Rui;Ma Hongyu;Ma Hongxiang
- 通讯作者:Ma Hongxiang
Low threshold voltage, highly stable electroforming-free threshold switching characteristics in VOx films-based device
VOx 薄膜器件中的低阈值电压、高度稳定的免电铸阈值开关特性
- DOI:10.1016/j.ceramint.2021.06.171
- 发表时间:2021
- 期刊:Ceramics International
- 影响因子:5.2
- 作者:Guoqiang Li;Jianhong Wei;Hongjun Wang;Rui Xiong;Dengjing Wang;Yuanyuan Zhu;Yong Liu;Zhaorui Zou;Jing Xu;Hongyu Ma
- 通讯作者:Hongyu Ma
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- 作者:朱媛媛;王士君
- 通讯作者:王士君
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