适应纳米尺度CMOS集成电路DFM的ULTRA模型完善和偏差模拟技术研究

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项目介绍
AI项目解读

基本信息

  • 批准号：
    60976066
  • 项目类别：
    面上项目
  • 资助金额：
    41.0万
  • 负责人：
    何进
  • 依托单位：
    北京大学
  • 学科分类：
    F0405.半导体器件物理
  • 结题年份：
    2012
  • 批准年份：
    2009
  • 项目状态：
    已结题
  • 起止时间：
    2010-01-01 至2012-12-31

项目摘要

纳米尺度CMOS集成电路可制造性设计（Desing for Manufacturability, DFM）依赖CMOS模型和反映工艺偏差特征和规律的技术，以及将二者有效连接的模拟方法。我们提出"适应纳米尺度CMOS集成电路DFM的ULTRA模型完善和偏差模拟技术研究"项目, 争取2到3年在纳米电路DFM用新一代CMOS模型功能完善和工艺偏差表征和模拟技术上有突破性进展：完善ULTRA模型对非均匀掺杂，高K栅结构,应力效应的模拟；建立统一QS/NQS，RF/HF模型；研究工艺，版图和器件设计导致的空间几何变化，掺杂偏差模拟方法和模型模拟，建立对应统计模型；设计DFM测试结构，提出偏差参数提取方法和算法；研究ULTRA核心CMOS功能自恰集成偏差模拟技术方法；在ULTRA框架上完成从纳米工艺到电路DFM的CMOS模型和工艺偏差模块的快速验证，形成ULTRA模型框架的DFM模拟和计算平台。

结项摘要

“适应纳米尺度CMOS集成电路DFM的ULTRA模型完善和偏差模拟技术研究”项目的主要工作包括：针对纳米尺度CMOS集成电路可制造性设计（Design for Manufacturability, DFM）完善ULTRA模型，以适应其对非均匀掺杂、高K栅结构和应力效应的模拟；研究工艺、版图和器件设计导致的空间几何变化，掺杂偏差模拟方法和模型模拟，并建立对应的统计模型；设计DFM测试结构，提出偏差参数提取方法和算法；研究ULTRA核心CMOS功能自洽集成偏差模拟技术方法；在ULTRA框架上完成从纳米工艺到电路DFM的CMOS模型和工艺偏差模块的快速验证，形成ULTRA模型框架的DFM模拟和计算平台。.在本项目的执行过程中，我们按照研究计划展开了一系列相应的工作。截止至2012年12月项目结束时，我们较为圆满地完成了所有的研究任务，在纳米CMOS器件模型、纳米电路偏差模拟、以及集成电路DFM设计等方面都取得了预期的研究成果。在学术上取得了显著成就，在国际权威期刊和会议上发表多篇高水平的研究论文，其中SCI收录论文14篇，EI收录论文21篇，受邀在国际会议上做特邀报告3次，申请专利3个，先后培养了博士毕业生1名，硕士毕业生2名，在读博士生2名，在读硕士生2名，同时项目组还与国际知名大学如香港科技大学、日本广岛大学和美国亚利桑那州立大学等开展了广泛的合作。本项目的研究工作为我国在该方面的学术发展奠定了一定基础，开创了CMOS器件模型和集成电路CAD模拟工具研究的新课题，并为国际商用纳米电路偏差模拟模型的开发研究工作提供了一定的理论指导和技术支持，进一步突出了本研究小组在纳米CMOS器件模型和纳米集成电路DFM模拟领域的国际地位，增强了我们在该专题上参与国际竞争的能力。

项目成果

期刊论文数量（15）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（22）
专利数量（3）
Numerical Simulation of Detection Response of Field Effect MOS Transistor to Modulated Terahertz Radiation Signal
场效应MOS晶体管对调制太赫兹辐射信号检测响应的数值模拟
  • DOI：
    --
  • 发表时间：
    2010-08
  • 期刊：
    JOURNAL OF COMPUTATIONAL AND THEORETICAL NANOSCIENCE
  • 影响因子：
    --
  • 作者：
    Wang, Yinglei;Yan, Zhifeng;Zhu, Jingxuan;Lin, Xinnan;He, Jin;Chan, Mansun;Cao, Juncheng
  • 通讯作者：
    Cao, Juncheng
A generic numerical model for detection of terahertz radiation in MOS field-effect transistors
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  • DOI：
    10.1016/j.sse.2010.03.009
  • 发表时间：
    2010-08-01
  • 期刊：
    SOLID-STATE ELECTRONICS
  • 影响因子：
    1.7
  • 作者：
    Wang, Yinglei;Yan, Zhifeng;Chan, Mansun
  • 通讯作者：
    Chan, Mansun
Numerical study on heterodyne terahertz detection in field effect transistor
场效应晶体管外差太赫兹探测数值研究
  • DOI：
    --
  • 发表时间：
    --
  • 期刊：
    OPTICS EXPRESS
  • 影响因子：
    3.8
  • 作者：
    Yan, Zhifeng;Zhu, Jingxuan;Wang, Yinglei;Lin, Xinnan;He, Jin;Cao, Juncheng
  • 通讯作者：
    Cao, Juncheng
Non-Charge-Sheet Analytic Model for Ideal Retrograde Doping MOSFETs
理想逆行掺杂 MOSFET 的非电荷层分析模型
  • DOI：
    --
  • 发表时间：
    --
  • 期刊：
    J. Comput. Theor. Nanosci.
  • 影响因子：
    --
  • 作者：
    Jin He;Zhize Zhou;Cao Yu;Lin He;Yun Ye;Mansun Chan
  • 通讯作者：
    Mansun Chan
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  • DOI：
    --
  • 发表时间：
    --
  • 期刊：
    J. Comput. Theor. Nanosci.
  • 影响因子：
    --
  • 作者：
    Min Shi;Hao Zhuang;Jin He;Lining Zhang;Jian Zhang;Zhiwei Liu;Wen Wu;Wenping Wang;Yong Ma;Xukai Zhang
  • 通讯作者：
    Xukai Zhang

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  • 通讯作者：
    何进

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AI项目解读示例

课题项目：调控A型流感病毒诱导IFN-β表达的机制研究

AI项目摘要：

本研究聚焦于TRIM2蛋白在A型流感病毒诱导的IFN-β表达中的调控机制。A型流感病毒是全球性健康问题，其感染可导致严重的呼吸道疾病。IFN-β作为关键的抗病毒因子，其表达水平对抗病毒防御至关重要。然而，TRIM2如何调控IFN-β的表达尚未明确。本研究假设TRIM2通过与病毒RNA或宿主因子相互作用，影响IFN-β的产生。我们将采用分子生物学、细胞生物学和免疫学方法，探索TRIM2与A型流感病毒诱导IFN-β表达的关系。预期结果将揭示TRIM2在抗病毒免疫反应中的作用，为开发新的抗病毒策略提供理论基础。该研究对理解宿主抗病毒机制具有重要科学意义，并可能对临床治疗流感病毒感染提供新的视角。

AI项目思路：

科学问题：TRIM2如何调控A型流感病毒诱导的IFN-β表达？
前期研究：已有研究表明TRIM2参与抗病毒反应，但其具体机制尚不明确。
研究创新点：本研究将深入探讨TRIM2在IFN-β表达中的直接作用机制。
技术路线：包括病毒学、分子生物学、细胞培养和免疫检测技术。
关键技术：TRIM2与病毒RNA的相互作用分析，IFN-β启动子活性检测。
实验模型：使用A型流感病毒感染的细胞模型进行研究。

AI技术路线图

        graph TD
          A[研究起始] --> B[文献回顾与假设提出]
          B --> C[实验设计与方法学准备]
          C --> D[A型流感病毒感染模型建立]
          D --> E[TRIM2与病毒RNA相互作用分析]
          E --> F[TRIM2对IFN-β启动子活性的影响]
          F --> G[IFN-β表达水平测定]
          G --> H[TRIM2功能丧失与获得研究]
          H --> I[数据收集与分析]
          I --> J[结果解释与科学验证]
          J --> K[研究结论与未来方向]
          K --> L[研究结束]
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