基于垂直磁记录的FeNi/FePt-SiO2异质超晶格薄膜研究
项目介绍
AI项目解读
基本信息
- 批准号:51071105
- 项目类别:面上项目
- 资助金额:36.0万
- 负责人:
- 依托单位:
- 学科分类:E0107.金属功能材料
- 结题年份:2013
- 批准年份:2010
- 项目状态:已结题
- 起止时间:2011-01-01 至2013-12-31
- 项目参与者:林方婷; 张浩; 李丽; 张虎; 董新伟; 王云锋;
- 关键词:
项目摘要
垂直磁记录能实现超高密度信息存储,但对其记录介质的薄膜微结构和磁性能提出了严格的要求。目前其要求难以同时满足成为该技术大规模应用的瓶颈。本项目将以FeNi/SiO2掺杂的FePt为研究对象,取向生长的FeNi薄膜为A层,FePt与SiO2镶嵌复合薄膜为B层,制备A、B层交替生长的超晶格结构,研究超晶格界面对薄膜微结构及磁性能的影响,实现对薄膜微观结构以及磁学性能的调控,研制出满足垂直磁记录要求的软/硬磁交换耦合超晶格薄膜。具体通过共沉积SiO2 和FePt,形成具有L10-FePt结构的纳米颗粒镶嵌体系;通过FeNi与L10-FePt的界面影响,使得L10-FePt纳米颗粒沿C轴取向生长,实现磁各向异性;通过软/硬磁交换耦合,降低薄膜的开关磁场,达到现行磁头的要求。同时通过对工艺条件的系统研究,获得制备最佳磁性能薄膜的优化工艺条件,推动超高密度的垂直磁记录技术应用的发展。
结项摘要
垂直磁记录能实现超高密度信息存储,但对其记录介质的薄膜微结构和磁性能提出了严格的要求。目前其要求难以同时满足成为该技术大规模应用的瓶颈。本项目以FeNi/SiO2掺杂的FePt为研究对象,取向生长的FeNi薄膜为A层,FePt与SiO2镶嵌复合薄膜为B层,制备A、B层交替生长的超晶格结构,研究超晶格界面对薄膜微结构及磁性能的影响,实现对薄膜微观结构以及磁学性能的调控,研制出满足垂直磁记录要求的软/硬磁交换耦合超晶格薄膜。通过FeNi与L10-FePt的界面影响,使得L10-FePt纳米颗粒沿C轴取向生长,实现磁各向异性;通过软/硬磁交换耦合,降低薄膜的开关磁场,达到现行磁头的要求。同时通过对工艺条件的系统研究,获得了制备最佳磁性能薄膜的优化工艺条件,完成了项目的各项目标。
项目成果
期刊论文数量(8)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(1)
Colossal electroresistance and magnetoresistance effect in polycrystalline perovskite cobaltites Nd1−xSrxCoO3 (x = 0.1, 0.2, 0.3)
多晶钙钛矿钴矿 Nd1−xSrxCoO3 (x
- DOI:--
- 发表时间:2013
- 期刊:Materials Research Bulletin
- 影响因子:5.4
- 作者:Li Zhang;Xia Li;Feifei Wang;Tao Wang;Wangzhou Shi
- 通讯作者:Wangzhou Shi
Large Strain Response in the Ternary Bi0.5Na0.5TiO3-BaTiO3-SrTiO3 Solid Solutions
三元 Bi0.5Na0.5TiO3-BaTiO3-SrTiO3 固溶体中的大应变响应
- DOI:10.1111/j.1551-2916.2012.05119.x
- 发表时间:2012-06-01
- 期刊:JOURNAL OF THE AMERICAN CERAMIC SOCIETY
- 影响因子:3.9
- 作者:Wang, Feifei;Xu, Min;Leung, Chung Ming
- 通讯作者:Leung, Chung Ming
A study of the size-dependent elastic properties of silicon carbide nanotubes: First-principles calculations
碳化硅纳米管尺寸相关弹性特性的研究:第一性原理计算
- DOI:10.1016/j.physleta.2012.03.035
- 发表时间:2012-04
- 期刊:Physics Letters A
- 影响因子:2.6
- 作者:Zhang, Anghui;Gu, Xiao;Liu, Feng;Xie, Yiqun;Ye, Xiang;Shi, Wangzhou
- 通讯作者:Shi, Wangzhou
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其他文献
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- 发表时间:2014
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- 作者:罗从文;赵振宇;石旺舟;陈之战
- 通讯作者:陈之战
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- DOI:--
- 发表时间:--
- 期刊:硅酸盐学报, 34(2004), 483-486;
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- 作者:刘宏玉;孔 慧;蒋冬梅;石旺舟
- 通讯作者:石旺舟
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- 通讯作者:石旺舟
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- DOI:--
- 发表时间:--
- 期刊:电子元件与材料, 26(2007), 11-13;
- 影响因子:--
- 作者:孔 慧;刘宏玉;蒋冬梅;石旺舟
- 通讯作者:石旺舟
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