GaN基DNA生物传感器研究
项目介绍
AI项目解读
基本信息
- 批准号:61106014
- 项目类别:青年科学基金项目
- 资助金额:30.0万
- 负责人:
- 依托单位:
- 学科分类:F0401.半导体材料
- 结题年份:2014
- 批准年份:2011
- 项目状态:已结题
- 起止时间:2012-01-01 至2014-12-31
- 项目参与者:李建平; 殷海波; 侯奇峰; 潘旭;
- 关键词:
项目摘要
GaN基DNA生物传感器是微电子学和生物检验技术的交叉学科,是一项新兴的尖端的研究领域。与传统的DNA检测技术相比,GaN基生物传感器具有操作简单、成本低廉、快速等优点。本项目的主要研究内容包括:开展GaN基生物传感器针对配对DNA分子检测的机理研究、GaN基生物传感器原型器件结构参数设计和工艺条件摸索、GaN基生物传感器原型器件制备、针对配对和非配对DNA分子的传感性能测试及分析等几个方面。通过采用AlGaN/AlN/GaN新型材料结构、采用Au-寡核苷酸连接桥等创新性特点,拟在3年之内研制成功可用于DNA检测的GaN基生物传感器原型器件,并对其传感机理进行研究,形成系统的理论建模。这对于拓展GaN基微电子器件应用领域、促进DNA分子检测技术发展具有十分重要的现实意义。
结项摘要
根据项目计划研究内容和研究指标,经过项目组成员的努力,圆满完成了项目计划研究任务。具体的研究成果如下:.1.完成了生物传感器用外延材料的结构优化设计和材料研制。为提高器件的耐压并降低器件漏电,通过能带裁剪,设计并研制出具有AlGaN缓冲层的生物传感器用GaN基外延材料,典型外延材料的方块电阻为421Ω/□,不均匀性为0.75%。.2.完成了器件结构设计和版图设计,制备出用于GaN基生物传感器研制的6块光刻版。在此基础上,研制出GaN基生物传感器原型器件。典型器件的欧姆接触电阻率为3.5×10 -5 Ω•cm 2;肖特基接触金属选用Au金属,反向漏电为10-5A量级,显示出良好的器件性能。.3.研究了生物传感器对于配对DNA分子的检测性能。传感器的传感区域长度为Lg=5um,W=120um,Lsd=20um,室温下,含有20个碱基浓度为10uM的DNA链在器件表面杂交时,传感器源漏间电流呈现约30uA电流降,响应时间小于5秒。显示出GaN基生物传感器对于配对DNA分子具有较为灵敏的响应。.4.分析了GaN基生物传感器的传感机理,认为配对DNA链与探针DNA链根据碱基互补配对原则发生杂交,由于DNA单链本身荷负电,杂交之后会在栅极区表面引入更多的负电荷,造成沟道二维电子气浓度减少,引起漏电流的下降。
项目成果
期刊论文数量(8)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Investigation of the current collapse induced in InGaN back barrier AlGaN/GaN high electron mobility transistors
InGaN 背势垒 AlGaN/GaN 高电子迁移率晶体管中引起的电流崩塌的研究
- DOI:10.1088/1674-4926/34/10/104002
- 发表时间:2013-10
- 期刊:半导体学报
- 影响因子:--
- 作者:Wan Xiaojia,Wang Xiaoliang,Xiao Hongling,Feng Chu
- 通讯作者:Wan Xiaojia,Wang Xiaoliang,Xiao Hongling,Feng Chu
High-Voltage AlGaN/GaN-Based Lateral Schottky Barrier Diodes
高压 AlGaN/GaN 基横向肖特基势垒二极管
- DOI:10.1088/0256-307x/31/6/068502
- 发表时间:2014-06-01
- 期刊:CHINESE PHYSICS LETTERS
- 影响因子:3.5
- 作者:Kang He;Wang Quan;Hou Xun
- 通讯作者:Hou Xun
Analysis of GaN cap layer effecting on critical voltage for electrical degradation of AlGaN/GaN HEMT
GaN 盖层对 AlGaN/GaN HEMT 电退化临界电压的影响分析
- DOI:--
- 发表时间:2014
- 期刊:The European Physical Journal - Applied Physics
- 影响因子:--
- 作者:Peng, Enchao;Kang, He;Wang, Zhanguo;Hou, Xun
- 通讯作者:Hou, Xun
Growth and characterization of AlGaN/AlN/GaN/AlGaN double heterojunction structures with AlGaN as buffer layers
以AlGaN为缓冲层的AlGaN/AlN/GaN/AlGaN双异质结结构的生长和表征
- DOI:10.1016/j.jcrysgro.2013.07.017
- 发表时间:2013-11
- 期刊:Journal of Crystal Growth
- 影响因子:1.8
- 作者:Wang, Xiaoliang;Xiao, Hongling;Wang, Cuimei;Yin, Haibo;Chen, Hong;Feng, Chun;Jiang, Lijuan;Hou, Xun;Wang, Zhanguo
- 通讯作者:Wang, Zhanguo
Analysis of transconductance characteristic of AlGaN/GaN HEMTs with graded AlGaN layer
具有梯度AlGaN层的AlGaN/GaN HEMT跨导特性分析
- DOI:10.1051/epjap/2014130368
- 发表时间:2014-05
- 期刊:The European Physical Journal - Applied Physics
- 影响因子:--
- 作者:Peng, Enchao;Kang, He;Wang, Zhanguo;Hou, Xun
- 通讯作者:Hou, Xun
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其他文献
利用钻孔注水试验测试爆区周边岩体损伤场的可行性研究
- DOI:--
- 发表时间:2016
- 期刊:岩土力学
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- 作者:冯春;乔继延;郭汝坤;李世海
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SmCo/Co多层交换弹性纳米晶复合永磁薄膜的制备和磁耦合研究
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- 发表时间:--
- 期刊:稀有金属
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- 发表时间:2011
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- 发表时间:2016
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- 通讯作者:李世海
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- 发表时间:--
- 期刊:计算力学学报
- 影响因子:--
- 作者:冯春;李世海;赵颖;刘晓宇
- 通讯作者:刘晓宇
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