UK Silicon Photonics

英国硅光子学

基本信息

  • 批准号:
    EP/E065317/1
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 34.01万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    英国
  • 项目类别:
    Research Grant
  • 财政年份:
    2008
  • 资助国家:
    英国
  • 起止时间:
    2008 至 无数据
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

Silicon Photonics is a field that has seen rapid growth and dramatic changes in the past 5 years. According to the MIT Communications Technology Roadmap, which aims to establish a common architecture platform across market sectors with a potential $20B in annual revenue, silicon photonics is among the top ten emerging technologies. This has in part been a consequence of the recent involvement of large semiconductor companies in the USA such as Intel and IBM, who have realised the enormous potential of the technology, as well as large investment in the field by DARPA in the USA under the Electronic and Photonic Integrated Circuit (EPIC) initiative. Significant investment in the technology has also followed in Japan, Korea, and to a lesser extent in the European Union (IMEC and LETI). The technology offers an opportunity to revolutionise a range of application areas by providing excellent performance at moderate cost due primarily to the fact that silicon is a thoroughly studied material, and unsurpassed in quality of fabrication with very high yield due to decades of investment from the microelectronics industry. The proposed work is a collaboration between 5 UK Universities (Surrey, St. Andrews, Leeds, Warwick and Southampton) with input from the industrial sector both in the UK and the USA. We will target primarily the interconnect applications, as they are receiving the most attention worldwide and have the largest potential for wealth creation, based on the scalability of silicon-based processes. However, we will ensure that our approach is more broadly applicable to other applications. This can be achieved by targeting device functions that are generic, and introducing specificity only when a particular application is targeted. The generic device functions we envisage are as follows: Optical modulation; coupling from fibre to sub-micron silicon waveguides; interfacing of optical signals within sub micron waveguides; optical filtering; optical/electronic integration; optical detection; optical amplification. In each of these areas we propose to design, fabricate, and test devices that will improve the current state of the art. Subsequently we will integrate these optical devices with electronics to further improve the state of the art in optical/electronic integration in silicon.We have included in our list of objectives, benchmark targets for each of our proposed devices to give a clear and unequivocal statement of ambition and intent.We believe we have assembled an excellent consortium to deliver the proposed work, and to enable the UK to compete on an international level. The combination of skills and expertise is unique in the UK and entirely complementary within the consortium. Further, each member of the consortium is recognised as a leading international researcher in their field.The results of this work have the potential to have very significant impact to wealth creation opportunities within the UK and around the world. For example emerging applications such as optical interconnect, both intra-chip, and inter-chip, as well as board to board and rack to rack, and Fibre To The Home for internet and other large bandwidth applications, will require highly cost effective and mass production solutions. Silicon Photonics is a seen as a leading candidate technology in these application areas if suitable performance can be achieved.
硅光子学是过去5年中快速增长和急剧变化的领域。根据麻省理工学院通信技术路线图,旨在建立一个潜在的年收入$ 20B的市场领域的共同建筑平台,硅光子学是前十大新兴技术之一。这部分是由于最近在美国意识到了这项技术的巨大潜力的大型半导体公司(例如英特尔和IBM)的结果,以及DARPA在美国DARPA对现场的巨大投资。在日本,韩国以及欧盟(IMEC和LETI)的较小程度上,对该技术的大量投资也遵循。该技术提供了一个机会,可以通过以下事实以适度的成本提供出色的性能来彻底改变一系列应用领域,这主要是因为硅是一种彻底研究的材料,并且由于微电子行业的数十年投资,制造质量的制造质量很高。拟议的工作是英国5所大学(萨里,圣安德鲁斯,利兹,沃里克和南安普敦)之间的合作,并与英国和美国的工业部门的意见一起进行了合作。我们将主要针对互连应用程序,因为它们在全球范围内受到最大的关注,并且根据基于硅过程的可扩展性具有最大的财富创造潜力。但是,我们将确保我们的方法更广泛地适用于其他应用程序。这可以通过针对通用的设备函数来实现,并且只有在针对特定应用程序时才引入特异性。我们设想的通用设备函数如下:光学调制;从纤维到亚微米硅波导的耦合;在亚微米波导中的光学信号接口;光学过滤;光学/电子整合;光学检测;光学扩增。在这些领域中的每个领域,我们都建议设计,制造和测试设备,以改善当前的最新状态。随后,我们将将这些光学设备与电子设备整合在一起,以进一步改善硅的光学/电子整合中的艺术状态。我们已包含在我们的目标列表中,为每个拟议的设备的基准目标提供了明确,明确的雄心勃勃的雄心勃勃的声明和意图。我们相信我们已经组装了一项良好的联盟来竞争,以竞争有益的努力,以竞争良好的努力,以启用一项良好的努力,并启用了一项良好的努力。技能和专业知识的结合在英国是独一无二的,并且在财团内完全互补。此外,财团的每个成员都被公认为其领域的主要国际研究员。这项工作的结果有可能对英国和世界各地的财富创造机会产生非常重大的影响。例如,新兴应用程序,例如光学互连,芯片内部和片间,以及板上板和机架的板和机架,以及用于互联网和其他大型带宽应用的纤维,将需要高昂的成本效益和质量生产解决方案。如果可以实现合适的性能,硅光子学是在这些应用领域中被视为领先的候选技术。

项目成果

期刊论文数量(10)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Strain engineering of the electroabsorption response in Ge/SiGe multiple quantum well heterostructures
Ge/SiGe 多量子阱异质结构电吸收响应的应变工程
  • DOI:
    10.1109/group4.2011.6053731
  • 发表时间:
    2011
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Lever L
  • 通讯作者:
    Lever L
Optical modulation using the silicon platform
使用硅平台的光调制
  • DOI:
    10.1117/12.2005423
  • 发表时间:
    2013
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Gardes F
  • 通讯作者:
    Gardes F
Accuracy of thickness measurement for Ge epilayers grown on SiGe/Ge/Si(100) heterostructure by x-ray diffraction and reflectivity
通过 X 射线衍射和反射率测量 SiGe/Ge/Si(100) 异质结构上 Ge 外延层的厚度测量精度
Non-destructive thickness characterization of Si based heterostructure by X-ray diffraction and reflectivity
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  • DOI:
    10.1016/j.sse.2011.01.036
  • 发表时间:
    2011
  • 期刊:
  • 影响因子:
    1.7
  • 作者:
    Liu X
  • 通讯作者:
    Liu X
O 2 + probe-sample conditions for ultra low energy SIMS depth profiling of nanometre scale Si 0.4 Ge 0.6 /Ge quantum wells
纳米级 Si 0.4 Ge 0.6 /Ge 量子阱超低能 SIMS 深度剖析的 O 2 探针样品条件
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