表面吸着による「溶液超薄膜」の作成と反応および結晶成長への応用

通过表面吸附形成“超薄溶液膜”并应用于反应和晶体生长

基本信息

批准号：
08750008
负责人：
島田敏宏
金额：
$ 0.64万
依托单位：
The University of Tokyo
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
财政年份：
1996
资助国家：
日本
起止时间：
1996 至无数据
项目状态：
已结题

项目摘要

本研究は、興味深い物性を示す有機物質およびその金属錯体の反応と結晶成長制御を目的として、溶質の蒸着と溶媒蒸気の吸着により溶液の超薄膜を作製し、その中での反応および結晶成長を調べた。(1)DCNQI-Cu錯体への溶媒吸着の影響と電子分光による反応評価DCNQI-Cu錯体は、特異な金属・絶縁体転移など、興味深い物性で知られているが、気相からの超薄膜単結晶成長の例はない。CuとDCNQIの共蒸着、および溶媒吸着による反応を電子エネルギー損失分光および放射光光電子分光で調べた。単結晶成長はできなかったが、放射光により入射光エネルギーを変えることによってピークを同定し、反応を評価できると、溶媒吸着により反応が促進されることを明らかにするととも(Ref.1)に、電子エネルギー損失分光によって従来知られていなかった。DCNOQI-Cu錯体の伝導帯の構造についての知見を得ることができた。(投稿中)。(2)光学的検出法による昇温脱離測定溶液超薄膜中の有機分子の挙動を調べるため、成長室と直結した光学測定系を作製した。まずこれを有機超薄膜の昇温脱離測定に応用し、従来真空中でしか行えなかった昇温脱離測定が、溶媒雰囲気下でも行えることを示した(投稿中)。(3)傾斜基板上の原子層ステップによる分子の配列化溶液超薄膜からの結晶成長を行う上で、結晶方位を揃えるためには基板上に細かい規則構造をつくり、ガイドさせるという方法(=グラフォエピタキシ-)が考えられる。グラフォエピタキシ-を有機分子に用いる試みはいくつかなされてきたが、成功例は報告されていない。この理由を調べるため、単結晶傾斜基板上の原子層ステップガイドとして利用し、フタロシアニン成長膜の結晶構造を電子線回折を用いて調べた。その結果、ガイドの間隔が分子数個分以下でないと分子配列は影響を受けないことが明らかになった(Ref.2-3)。

这项研究的目的是控制有机物质及其表现出有趣物理性质的金属络合物的反应和晶体生长。这项研究的目的是通过溶质的气相沉积和溶剂蒸气的吸附来制造溶液的超薄膜，并控制它们内部的反应和晶体生长。 (1)溶剂吸附对DCNQI-Cu配合物的影响以及通过电子光谱评估反应 DCNQI-Cu配合物因其独特的金属-绝缘体转变等有趣的物理性质而闻名。目前还没有晶体生长的例子。使用电子能量损失谱和同步辐射光电子能谱研究了 Cu 和 DCNQI 的共沉积以及溶剂吸附引起的反应。尽管我们无法生长单晶，但我们能够通过使用同步加速器辐射改变入射光能量来识别峰值并评估反应，这表明溶剂吸附加速了反应（参考文献 1）。通过电子能量损失谱。我们能够获得有关 DCNOQI-Cu 配合物导带结构的知识。（目前已发布）。 (2) 使用光学检测方法进行程序升温脱附测量为了研究有机分子在溶液超薄膜中的行为，我们创建了直接连接到生长室的光学测量系统。首先，我们将其应用于超薄有机薄膜的程序升温解吸测量，并表明传统上只能在真空中进行的程序升温解吸测量也可以在溶剂气氛中进行（目前已提交）。 (3) 在倾斜的基板上按原子层台阶排列分子当从溶液的超薄膜中生长晶体时，排列晶体取向的方法是在基板上创建精细的规则结构并引导它（=图形外延）经过考虑的。人们已经多次尝试将图形外延用于有机分子，但尚未有成功的报道。为了研究其原因，我们将其用作单晶倾斜基板上的原子层阶梯引导，并使用电子衍射研究了酞菁生长薄膜的晶体结构。结果表明，除非导向器之间的距离为几个分子或更小，否则分子排列不会受到影响（参考文献2-3）。