Performance enhancement for Ge optical devices by applying local strain to Ge-On-Insulator substrates

通过对绝缘体上Ge衬底施加局部应变来增强Ge光学器件的性能

基本信息

  • 批准号：
    17H03237
  • 负责人：
    Wang Dong
  • 金额：
    $ 11.81万
  • 依托单位：
    Kyushu University
  • 依托单位国家：
    日本
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
  • 财政年份：
    2017
  • 资助国家：
    日本
  • 起止时间：
    2017-04-01 至 2020-03-31
  • 项目状态：
    已结题

项目摘要

项目成果

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Effect of n-type doping level on direct band gap electroluminescence intensity for asymmetric metal/Ge/metal diodes
n型掺杂水平对不对称金属/Ge/金属二极管直接带隙电致发光强度的影响
  • DOI：
    10.1088/1361-6641/aa827f
  • 发表时间：
    2017
  • 期刊：
  • 影响因子：
    1.9
  • 作者：
    Maekura T;Tanaka K;Motoyama C;Yoneda R;Yamamoto K;Nakashima H;Wang D
  • 通讯作者：
    Wang D
Ambipolar operation of asymmetric Ge Schottky tunneling source field-effect transistor fabricated on Ge-on-Insulator
绝缘体上Ge非对称Ge肖特基隧道源场效应晶体管的双极操作
  • DOI：
  • 发表时间：
    2018
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    K. Yamamoto; K. Nakae; D. Wang; H. Nakashima; Z. Xue; M. Zhang; Z. Di
  • 通讯作者：
    Z. Di
Impact of Al2O3 interlayer for metal-oxide-semiconductor capacitor on (111) oriented 3C-SiC for electronic device application
金属氧化物半导体电容器用Al2O3中间层对(111)取向3C-SiC电子器件应用的影响
  • DOI：
  • 发表时间：
    2018
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    K. Yamamoto; D. Wang; H. Nakashima; S. Hishiki; K. Kawamura
  • 通讯作者：
    K. Kawamura
Smart-Cut法を用いて作製したGe-on-Insulatorの極性変化
使用 Smart-Cut 方法制造的绝缘体上 Ge 的极性变化
  • DOI：
  • 发表时间：
    2018
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    仲江 航平;薛 飛達;山本 圭介;王 冬;中島 寛;Miao Zhang;Zhongying Xue;Zenfeng Di
  • 通讯作者：
    Zenfeng Di
Characterization of near-interface border-traps in GeO2/Ge gate stacks grown by low and high temperature thermal oxidation using deep-level transient spectroscopy
使用深能级瞬态光谱表征低温和高温热氧化生长的 GeO2/Ge 栅堆叠中的近界面边界陷阱
  • DOI：
  • 发表时间：
    2017
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    W. ;H. Nakashima
  • 通讯作者：
    H. Nakashima
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  • 资助金额：
    $ 11.81万
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