Preparation of Crystalline Compound Semiconductor in Large Area on the Glass using Low Temperature Growth Technique

低温生长技术在玻璃上大面积制备晶体化合物半导体

• 批准号: 09555113
• 负责人: OHYAMA Masanori
• 金额: $ 6.59万
• 依托单位: Tokyo National College of Technology
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
• 财政年份: 1997
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1997 至 1999
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-09555113/
• 关键词: low temperature crystal growth; compound semiconductor; heteroepitaxy; dry process; ion assist; optical material; electron beem deposition; sputtering; 低温成長; ヘチロエピタキシー; 光センサー材料; ヘテロエピタキシャル; イオンプレーティング; 化合物半導体; 電子ビーム; 薄膜成長機構; 機能性材料

The development of processing semiconductor using homoepitaxial growth has been achieved in technology for the electric devices and other material. In recently, there has been demand to better development of heteroepitaxial growth on the glass of compound semiconductor for photoelectric device. Accordingly a thin film processing technique is necessary for II - VI, III - VI group compound semiconductor of applications to electric material. Considering the research in this method, this study produces semiconductor (ZnS, GaS, GaSe) by the hydrogen ion and electron assist graphoepitaxial growth on the glass. The characteristic of this research is to examine influence of hydrogen ion to thin film growth process in the low temperature crystal growth. The hydrogen ion assist method is available to produce crystal of compound semiconductor on the glass. In this research, it was found that crystalline films are obtained by reactive hydrogen ion at low temperature. The hydrogenous reactive graphoepitaxial growth technique used in this research is useful in deposition of crystalline compound semiconductor.

使用同质外延生长加工半导体的技术已在电子器件和其他材料技术中实现。近年来，需要更好地发展光电器件用化合物半导体玻璃上的异质外延生长。因此，对于应用于电气材料的II-VI族、III-VI族化合物半导体来说，薄膜加工技术是必要的。考虑到该方法的研究，本研究通过氢离子和电子辅助玻璃上的图形外延生长来生产半导体（ZnS、GaS、GaSe）。本研究的特点是考察低温晶体生长中氢离子对薄膜生长过程的影响。氢离子辅助法可在玻璃上制备化合物半导体晶体。本研究发现氢离子在低温下反应可得到结晶薄膜。本研究中使用的氢反应性图形外延生长技术可用于晶体化合物半导体的沉积。

项目成果

大山昌憲、大野秀彦、他: "RFスパッタリングによるGaS薄膜の作製と基礎物性" 表面技術協会講演要旨集. 98. 95-96 (1998)

Masanori Oyama、Hidehiko Ohno 等人：“通过射频溅射制备 GaS 薄膜的基本物理性质”表面技术协会会议记录 98. 95-96 (1998)。

Masanori OHYAMA: "Electrical and Optical Properties on GaSe Thin Films of III-VI Compound Semiconductor" Trans.of Material Science and Phgsics. 8. 1-4 (1997)

Masanori OHYAMA：“III-VI 化合物半导体 GaSe 薄膜的电学和光学特性”Trans.of Material Science and Phgsics。

大山昌憲、大野秀彦、藤田安彦、他: "RFスパッタリングによる硫化ガリウム薄膜" 日本真空協会講演予稿集. 39. 93-94 (1998)

Masanori Oyama、Hidehiko Ohno、Yasuhiko Fujita 等人：“通过射频溅射形成硫化镓薄膜”日本真空协会会议论文集 39. 93-94 (1998)。

大山昌憲,大野秀彦,藤田安彦,他: "RFスパッタリングによるセレン化ガリウム薄膜"日本真空協会講演予稿集. 39. 95-96 (1998)

Masanori Oyama、Hidehiko Ohno、Yasuhiko Fujita 等人：“射频溅射的硒化镓薄膜”日本真空协会会议论文集 39. 95-96 (1998)。

M.Ohyama, H.Ohno, Y.Fujita, S.Matsuda and E., Ikehara: "The Low Temperature for a Crystal Growth of the Compound Semiconductor"Research Report of Tokyo National College of Technology. Vol.31. 25-28 (1999)

M.Ohyama、H.Ohno、Y.Fujita、S.Matsuda 和 E., Ikehara：东京工业大学的“化合物半导体晶体生长的低温”研究报告。