Elucidation of optical and electrical luminescence characteristics of light-emitting diodes fabricated on high-quality semipolar InGaN template

阐明在高质量半极性 InGaN 模板上制造的发光二极管的光电发光特性

• 批准号: 24760012
• 负责人: OKADA Narihito
• 金额: $ 2.91万
• 依托单位: Yamaguchi University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
• 财政年份: 2012
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2012-04-01 至 2014-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-24760012/
• 关键词: 発光ダイオード; 窒化ガリウムインジウムテンプレート; 偏光特性; LED; 非極性面; InGaN; 高効率化; seimpolar; Nitiride; InGaN underlying layer

This research project aims to fabricate and evaluate light-emitting diodes (LEDs) grown on a semipolar InGaN template enabling to realize state-of-the-art LED. Efficiency of a liquid crystal display using LEDs and laser diodes (LDs) can be improved by controlling light-polarization characteristics; it was revealed that the semipolar InGaN templates can control the light-polarization for the LEDs and LDs. Although LEDs recently have a problem of efficiency droop at a high-injection current, InGaN template is also effective to enhance the light output power of LED. The light output power of the LED fabricated on the InGaN template is approximately 6 times higher than that of a conventional LED at a high injection current.

该研究项目旨在制造和评估在半极性 InGaN 模板上生长的发光二极管 (LED)，从而实现最先进的 LED。使用LED和激光二极管(LD)的液晶显示器的效率可以通过控制光偏振特性来提高；据透露，半极性 InGaN 模板可以控制 LED 和 LD 的光偏振。尽管最近LED在高注入电流下存在效率下降的问题，但InGaN模板对于提高LED的光输出功率也很有效。在InGaN模板上制造的LED在高注入电流下的光输出功率比传统LED高约6倍。

项目成果

Relationship between V-Pit Diameter and Potential Barrier Height in InGaN Based Light-Emitting Diodes

InGaN基发光二极管中V坑直径与势垒高度的关系

• 发表时间: 2014
• 作者: N. Okada; M. Haziq; K. Yamane; Y. Yamada;K. Tadatomo
• 通讯作者: K. Tadatomo

ハイドライド気相成長法による半極性面GaNの再成長

氢化物气相外延再生长半极性面GaN

• 发表时间: 2014
• 作者: 稲垣卓志; 橋本健宏; 山根啓輔; 岡田成仁; 只友一行
• 通讯作者: 只友一行

Semipolar GaN Growth on Patterned Sapphire Substrate by Hydride Vapor Phase Epitaxy

通过氢化物气相外延在图案化蓝宝石衬底上生长半极性 GaN

• 发表时间: 2013
• 作者: K. Tadatomo; N. Okada; K. Yamane; H. Furuya;Y. Hashimoto
• 通讯作者: Y. Hashimoto

「非極性面LEDの現状と課題」固体光源分科会

“非极性面LED的现状及问题”固体光源分委会

• 发表时间: 2013
• 作者: 岡田成仁

Advancement in Future Applications with III-Nitrides by Fusion Technology between Epitaxy and Processing

通过外延和加工之间的融合技术推进 III 族氮化物的未来应用

• 发表时间: 2013
• 作者: K. Tadatomo; N. Okada; K. Yamane; H. Furuya; Y. Hashimoto
• 通讯作者: Y. Hashimoto