開放端におけるエンドプレートメッシュバイアスの最適化

开口端端板网格偏差的优化

基本信息

批准号：
08680495
负责人：
斉藤輝雄
金额：
$ 1.6万
依托单位：
University of Tsukuba
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
1996
资助国家：
日本
起止时间：
1996 至无数据
项目状态：
已结题

项目摘要

本課題では筑波大学プラズマ研究センターのタンデムミラー装置ガンマ10において、メッシュバイアスによる端損失電子束の軽減を試みた。ガンマ10で電位形成用ECRHを印加すると、大量の端損失電子が装置端のステンレス板(エンドプレート)に流入する。エンドプレートは電気的に浮遊しているので、エンドプレートから放出された冷たい2次電子が装置中央部に向かって逆流する。エンドプレート前面に張ったメッシュに負の電圧をかけ、二次電子を抑制する実験がメッシュバイアスである。これまでに得た成果は、(1)メッシュバイアスにより、エンドプレート電位が下がり端損失電子束と熱流が減少した。(2)しかし、端損失電子束の減少率は当初の期待より小さく、エンドプレートの電流バランスに疑問が生じた。(3)そこで、エンドプレート裏のプラズマを介した電流I3を考慮すると、電流バランスの勘定が合うことが分かった。また、この電流のためにメッシュバイアスの効果が制限されていることも明らかにした。現在エンドプレートの表面と裏面を絶縁し、エンドプレート表面ではI3なしで電流バランスを成立させる準備をしている。ガンマ10の実験スケジュールとの関係で、平成8年度中には実験出来ないが、次年度の早期に結果を出すべく努力中である。また、メッシュの一部に高透過率の物を用いると、バイアス電圧がよくかかるようになったので、他のメッシュも高透過率化することを検討中である。これはメッシュ自身から放出される2次電子を軽減する意味でも重要である。本研究で、開放磁場部の電位形成とプラズマの輸送機構に関して多くの知見を得た。エンド部の電流バランスは主プラズマの径方向拡散とも密接に関わっている。今後はこのことも視野に入れた研究を進めて行く必要がある。

在本期中，我们试图减少网状镜gamma gamma gamma 10在杜斯库巴大学等离子体大学研究中心的串联镜像设备伽玛10上减少终点的电子捆绑包。当在伽马10中应用用于电势形成的ECRH时，大量的端线损耗电子流入设备末端的不锈钢板（端板）。由于末端板是电浮动的，因此从端板释放的冷二级电子流向设备中心。网格偏置是一个实验，其中将负电压施加到端板前部的网格并抑制二次电子。到目前为止获得的结果是（1）网格偏置降低了端板电位，并降低了末端损耗电子束和热流。（2）然而，末端 - 板电流平衡的降低小于原始期望。（3）发现端板背面的等离子体的当前i3将与当前的平衡帐户匹配。还揭示了网格偏差的效果受到此电流的限制。当前，端板的表面和背面是绝缘的，端板表面正准备建立没有i3的电流平衡。由于伽马10的实验时间表，该实验不能在1996年进行，但是我们正在下一个财政年度的初期取得成果。另外，如果用于一部分网格的高渗透率，则偏置电压已得到很好的应用，因此其他网格也被认为是高度传输的。这对于减少从网格本身释放的二级电子也很重要。在这项研究中，我对开放磁场的潜在形成和等离子体传输机制有了很多了解。末端部分的当前平衡与主血浆的直径扩散密切相关。将来，有必要对此进行研究。