開放端におけるエンドプレートメッシュバイアスの最適化

开口端端板网格偏差的优化

基本信息

批准号：
08680495
负责人：
斉藤輝雄
金额：
$ 1.6万
依托单位：
University of Tsukuba
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
1996
资助国家：
日本
起止时间：
1996 至无数据
项目状态：
已结题

项目摘要

本課題では筑波大学プラズマ研究センターのタンデムミラー装置ガンマ10において、メッシュバイアスによる端損失電子束の軽減を試みた。ガンマ10で電位形成用ECRHを印加すると、大量の端損失電子が装置端のステンレス板(エンドプレート)に流入する。エンドプレートは電気的に浮遊しているので、エンドプレートから放出された冷たい2次電子が装置中央部に向かって逆流する。エンドプレート前面に張ったメッシュに負の電圧をかけ、二次電子を抑制する実験がメッシュバイアスである。これまでに得た成果は、(1)メッシュバイアスにより、エンドプレート電位が下がり端損失電子束と熱流が減少した。(2)しかし、端損失電子束の減少率は当初の期待より小さく、エンドプレートの電流バランスに疑問が生じた。(3)そこで、エンドプレート裏のプラズマを介した電流I3を考慮すると、電流バランスの勘定が合うことが分かった。また、この電流のためにメッシュバイアスの効果が制限されていることも明らかにした。現在エンドプレートの表面と裏面を絶縁し、エンドプレート表面ではI3なしで電流バランスを成立させる準備をしている。ガンマ10の実験スケジュールとの関係で、平成8年度中には実験出来ないが、次年度の早期に結果を出すべく努力中である。また、メッシュの一部に高透過率の物を用いると、バイアス電圧がよくかかるようになったので、他のメッシュも高透過率化することを検討中である。これはメッシュ自身から放出される2次電子を軽減する意味でも重要である。本研究で、開放磁場部の電位形成とプラズマの輸送機構に関して多くの知見を得た。エンド部の電流バランスは主プラズマの径方向拡散とも密接に関わっている。今後はこのことも視野に入れた研究を進めて行く必要がある。

在这个主题中，我们试图减少杜苏库大学等离子体研究中心的串联镜伽玛10中的网格偏置引起的边缘损失电子通量。当电势形成ECRH用伽马10施加时，大量的末端损坏的电子流入设备末端的不锈钢板（端板）中。因为端板是电悬浮的，所以从端板向后流向设备中央部分的冷二级电子。网格偏置是一个实验，其中将负电压施加到在端板前部拉伸以抑制次级电子的网格。到目前为止，我们已经取得的结果是（1）网格偏置导致末端板的电势下降，从而导致末端损失电子通量和热流量减少。（2）但是，末端电子通量的降低速率比最初预期的要小，从而引起了有关端板的当前平衡问题。（3）因此，发现当前i3通过端板背面的等离子体的电流i3时，当前的平衡帐户是正确的。它还揭示了该电流限制了网格偏置的影响。当前，端板的前后是绝缘的，并且端板表面正在准备达到没有i3的电流平衡。由于伽马10的实验时间表，我们将无法在1996年进行任何实验，但是我们正在努力在明年年初获得结果。此外，当将高透射率用于一部分网格时，通常会应用偏置电压，因此，目前被认为可以增加其他网格的透射率。这也很重要，因为它减少了从网格本身发出的二级电子。这项研究已经获得了有关开放磁场区域的潜在形成和运输血浆的机制的知识。最终的当前平衡与主血浆的径向扩散密切相关。将来，我们需要进行研究，以考虑这一点。