Development of terahertz-wave emitter and detector excited by optical light source with a wavelength at optical waveband region using dilute bismuthide semiconductors
使用稀铋化物半导体开发光波段区域波长的太赫兹波发射器和探测器
基本信息
- 批准号：26820114
- 负责人：
- 金额：$ 2.58万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
- 财政年份：2014
- 资助国家：日本
- 起止时间：2014-04-01 至 2016-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
High-Resolution X-Ray Reciprocal Space Mapping of Low-Temperature-Grown In0.45Ga0.55As on InP substrate
InP 衬底上低温生长 In0.45Ga0.55As 的高分辨率 X 射线倒易空间测绘
- DOI：
- 发表时间：2015
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Yoriko Tominaga;Yutaka Kadoya;and Hitoshi Morioka;富永依里子，角屋豊;Yoriko Tominaga and Yutaka Kadoya;Yoriko Tominaga and Yutaka Kadoya;Yoriko Tominaga and Yutaka Kadoya
- 通讯作者：Yoriko Tominaga and Yutaka Kadoya
Growth and Annealing Temperature Dependences of Crystal Structure of Low-Temperature-grown In<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>As on InP Substrate
InP衬底上低温生长In<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>As晶体结构的生长和退火温度依赖性
- DOI：10.2472/jsms.64.696
- 发表时间：2015
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：富永依里子;角屋豊
- 通讯作者：角屋豊
InP基板上低温成長 In0.45Ga0.55Asの結晶構造とそのアニール温度依存性
InP衬底上低温生长的In0.45Ga0.55As晶体结构及其退火温度依赖性
- DOI：
- 发表时间：2015
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：富永依里子;角屋豊
- 通讯作者：角屋豊
低温成長InGaAs内のIn原子位置の成長温度およびアニール温度両依存性
低温生长 InGaAs 中 In 原子位置对生长温度和退火温度的依赖性
- DOI：
- 发表时间：2015
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：富永依里子，角屋豊;森岡仁;廣瀬伸悟，富永依里子，角屋豊
- 通讯作者：廣瀬伸悟，富永依里子，角屋豊
Crystal structure of low-temperature-grown In0.45Ga0.55As on an InP substrate
- DOI：10.1016/j.jcrysgro.2015.02.077
- 发表时间：2015-09
- 期刊：
- 影响因子：1.8
- 作者：Yoriko Tominaga;Yuki Tomiyasu;Y. Kadoya
- 通讯作者：Yoriko Tominaga;Yuki Tomiyasu;Y. Kadoya
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Suzuki Yoh
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