High-Density Permanent Memory by Capacitance Readout of Nano Structure
通过纳米结构电容读出实现高密度永久存储器
基本信息
- 批准号:26820128
- 负责人:
- 金额:$ 2.5万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
- 财政年份:2014
- 资助国家:日本
- 起止时间:2014-04-01 至 2016-03-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
项目成果
期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
二段階デュアルモード容量スキャン方式を用いた1mm-Pitch 80x80-Channel 322Hz-Frame-Rateタッチセンサの設計
采用两级双模电容扫描方法设计 1mm 间距 80x80 通道 322Hz 帧率触摸传感器
- DOI:
- 发表时间:2014
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:三浦典之;道正志郎;藤本大介;桐山卓弥;手塚宏行;三木拓司;永田真
- 通讯作者:永田真
高解像度・高速タッチセンサのノイズ耐性評価とノイズ低減手法の検討
高分辨率/高速触摸传感器的抗噪性评估及降噪方法研究
- DOI:
- 发表时间:2016
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:桐山卓弥;三浦典之;永田真
- 通讯作者:永田真
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