High-Density Permanent Memory by Capacitance Readout of Nano Structure

通过纳米结构电容读出实现高密度永久存储器

基本信息

  • 批准号:
    26820128
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 2.5万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
  • 财政年份:
    2014
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2014-04-01 至 2016-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
記憶媒体、データ符号化方法、及びデータ読出回路
存储介质、数据编码方法以及数据读取电路
  • DOI:
  • 发表时间:
    2015
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
二段階デュアルモード容量スキャン方式を用いた1mm-Pitch 80x80-Channel 322Hz-Frame-Rateタッチセンサの設計
采用两级双模电容扫描方法设计 1mm 间距 80x80 通道 322Hz 帧率触摸传感器
  • DOI:
  • 发表时间:
    2014
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    三浦典之;道正志郎;藤本大介;桐山卓弥;手塚宏行;三木拓司;永田真
  • 通讯作者:
    永田真
高解像度・高速タッチセンサのノイズ耐性評価とノイズ低減手法の検討
高分辨率/高速触摸传感器的抗噪性评估及降噪方法研究
  • DOI:
  • 发表时间:
    2016
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    桐山卓弥;三浦典之;永田真
  • 通讯作者:
    永田真
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