Low Temperature Formation of SingleCrystal Germanium Thin Film by Laser Annealing for Laminated Structure

叠层结构激光退火低温形成单晶锗薄膜

• 批准号: 23760284
• 负责人: HORITA Masahiro
• 金额: $ 3万
• 依托单位: Nara Institute of Science and Technology
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
• 财政年份: 2011
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2011 至 2012
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-23760284/
• 关键词: 薄膜トランジスタ; ゲルマニウム; シリコン; レーザーアニール; 結晶化

In order to obtain single crystal germanium (Ge) on amorphous substrates, green laser annealing (GLA) for the Ge//Si laminated structure was investigated. We found that the lower Si layer can be crystallized as well as the upper Ge layer. In addition, we also examined CO2infrared laser annealing for the Si//Si laminated structure. The size of poly-Si grains formed by CO2 laser annealing was approximately twice as large (~2 μm) as that by GLA. The upper and lower Si layers were simultaneously crystallized with large grains.

为了在非晶衬底上获得单晶锗 (Ge)，我们研究了 Ge//Si 叠层结构的绿光激光退火 (GLA)，下层 Si 层和上层 In 层都可以结晶。此外，我们还研究了 Si//Si 叠层结构的 CO2 红外激光退火，CO2 激光退火形成的多晶硅晶粒的尺寸约为其两倍（约 2 μm）。通过GLA，上下Si层同时结晶，晶粒较大。

项目成果

三次元構造デバイス応用に向けたCO2レーザーアニールによる積層多結晶シリコン薄膜の形成

通过 CO2 激光退火形成层压多晶硅薄膜，用于三维结构器件应用

• 作者: 山﨑浩司; 町田絵美; 堀田昌宏; 石河泰明; 浦岡行治; 池上浩
• 通讯作者: 池上浩

Super Low Temperature Fabrication of Thin Film Transistors with Polycrystalline Si and Oxide Semiconductor Materials

多晶硅和氧化物半导体材料薄膜晶体管的超低温制造

• 发表时间: 2012
• 作者: M. Horita

Thin Film Devices Fabricated on Double-Layered Polycrystalline Silicon Films Formed by Green Laser Annealing

在绿光激光退火形成的双层多晶硅薄膜上制造薄膜器件

• 发表时间: 2011
• 作者: K. Yamasaki

CO2レーザーアニールによる多結晶シリコン薄膜の形成

CO2激光退火形成多晶硅薄膜

• 发表时间: 2012
• 作者: 山崎浩司

Thin Film Transistors and Photo Diodes Fabricated on Double-Layered Polycrystalline Silicon Films Formed by Green Laser Annealing

绿光激光退火双层多晶硅薄膜上制作的薄膜晶体管和光电二极管

• 发表时间: 2011
• 作者: K. Yamasaki