Kubisches Bornitrid (c-BN) als Material für die Elektronik: Dotierungs-Effekte und erste Anwendungen

立方氮化硼 (c-BN) 作为电子材料：掺杂效应和初步应用

• 批准号: 62461341
• 负责人: Professor Dr. Paul Ziemann
• 金额: --
• 依托单位: Institut für Festkörperphysik
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Research Grants
• 财政年份: 2008
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 2007-12-31 至 无数据
• 项目状态: 未结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/62461341?language=en
• 关键词: Kubisches; Bornitrid; BN; als; Material

Aufbauend auf eigenen experimentellen Vorarbeiten zur Herstellung epitaktischer c-BN Filme auf (001)Diamant und deren Dotierung mit Si in einen n-leitenden Zustand, sollen erste Diodenstrukturen vom Typ: 1) p-Diamant (als Substrat) / n(Si)-cBN 2) Diamant-Substrat (undotiert) / p-cBN (nominell undotiert)/n(Si)-cBN 3) Diamant-Substrat (undotiert) / p-cBN (nominell undotiert)/Implantation Si (liefert n-cBN) aufgebaut werden. Bei erfolgreichem Diodenverhalten kann dann auch eine erste p-n-p-Transistor-Struktur vom Typ Diamant- Substrat (undotiert) / p-cBN (nominell undotiert)/n(Si)-cBN/ p-cBN präpariert und charakterisiert werden. Die genannten pn-Aufbauten beruhen auf der Beobachtung, dass nominell undotierte c-BN Filme p-Leitung zeigen, welche durch Zudotierung von Si jedoch überkompensiert und in n-Leitung umgewandelt werden kann. Zur Dotierung selbst ist sowohl Ko-Deposition während des Filmwachstums einsetzbar als auch nachträgliche Implantation. Der letztere Prozess soll ebenfalls im Rahmen des Projektes noch weiter optimiert werden.

典型：1) p-Diamant (als Substrat) / n(Si)- cBN 2) Diamant-Substrat (undotiert) / p-cBN (nominell undotiert)/n(Si)-cBN 3) Diamant-Substrat (undotiert) / p-cBN (nominell undotiert)/Implantation Si (liefert n-cBN) aufgebaut werden。 erfolgreichem Diodenverhalten kann dann auch eine erste p-n-p-晶体管结构 vom Typ Diamant- Substrat (undotiert) / p-cBN (nominell undotiert)/n(Si)-cBN/ p-cBN präpariert und charakterisiert c-BN Film。 p-Leitung zeigen、welche durch Zudotierung von Si jedoch überkompensiert 和 n-Leitung umgewandelt werden kann。 Rahmen des Projektes noch weiter optimiert werden。