Demonstration of negative refraction in grapheme pn junction

石墨烯pn结负折射的演示

• 批准号: 23656204
• 负责人: YOH Kanji
• 金额: $ 2.41万
• 依托单位: Hokkaido University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
• 财政年份: 2011
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2011 至 2012
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-23656204/
• 关键词: 負の屈折; クライン-トンネル; グラフェン; pn 接合; pn接合; ディラックフェルミオン; クライントンネリング; 負の屈折率; ベセラゴレンズ; negative refraction

The overall electrical measurement results indicate negative refraction overlapped with some interference pattern. The interference pattern is thought to come from multiple reflection of the injected electron waves. As a result

总体电测量结果表明负折射与某些干涉图案重叠。干涉图案被认为来自注入电子波的多次反射。因此

项目成果

グラフェン中の量子輸送特性とトランジスタ応用-スピンデバイスへ向けて

石墨烯和晶体管应用中的量子传输特性 - 针对自旋器件

• 发表时间: 2013
• 作者: 陽完治

Fabrication of Graphene Nanoribbon Network via Nanoimprint Lithography

通过纳米压印光刻技术制造石墨烯纳米带网络

• 发表时间: 2011
• 作者: Liumin Zou; Keita Konishi; Morihisa Hoga;Kanji Yoh
• 通讯作者: Kanji Yoh

Fabrication of Graphene Network via nanoimprint Technology

通过纳米压印技术制造石墨烯网络

• 发表时间: 2012
• 作者: Liumin Zoua1; Keita Konishia1; Morihisa Hogaa2;Kanji Yoh
• 通讯作者: Kanji Yoh

グラフェンネットワークによるバンドギャップの制御(4)

使用石墨烯网络进行带隙控制 (4)

• 发表时间: 2012
• 作者: 鄒柳民;閻子威;小西敬太;法元盛久;陽完治
• 通讯作者: 陽完治

SiC上のエピタキシャルグラフェンへのスピン注入(III)

自旋注入 SiC 上的外延石墨烯 (III)

• 发表时间: 2013
• 作者: 小西敬太;陽完治
• 通讯作者: 陽完治