Iron disilicide photochemical diode with Au-promoter

带 Au 促进剂的二硅化铁光化学二极管

基本信息

  • 批准号:
    23560018
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 3.33万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
  • 财政年份:
    2011
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2011 至 2013
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

Semiconducting iron disilicide (beta-FeSi2) has been attracting a great deal of attention as a photo-detector and Si-based light emitter operating at wavelengths suitable for optical fiber communications. This is because beta-FeSi2 has a band gap less than 0.80 eV and a very large optical absorption coefficient over 1E+5 /cm at 1 eV. Moreover, this semiconducting material is composed of the elements that are naturally abundant and less toxic than the elements used in conventional compound semiconductors.In this report, we report on the novel fabrication method of beta-FeSi2 photochemical diode with Au electrode on the surface of Si powder by using metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD) method which is general in semiconductor process technology. Moreover, we repot on the hydrogen evolution over this photochemical diode under irradiation of not only UV but also visible light from formaldehyde aqueous solution.
半导体二硅化铁(β-FeSi2)作为光电探测器和硅基光发射器,在适合光纤通信的波长下工作,引起了广泛的关注。这是因为β-FeSi2 的带隙小于0.80 eV,并且在1 eV 时具有超过1E+5 /cm 的非常大的光学吸收系数。此外,这种半导体材料由天然丰富的元素组成,并且比传统化合物半导体中使用的元素毒性更低。在本报告中,我们报道了表面带有金电极的β-FeSi2光化学二极管的新型制造方法。采用半导体工艺技术中常用的金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法制备硅粉。此外,我们报告了这种光化学二极管在紫外线和甲醛水溶液的可见光照射下的析氢情况。

项目成果

期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Microstructure analysis ofβ-FeSi_2 grown on Ag-coated Si(001) substrate
银包覆Si(001)衬底上生长的β-FeSi_2微观结构分析
  • DOI:
  • 发表时间:
    2013
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    S. Motomura; G. Hayashi; M. Itakura;K. Akiyama
  • 通讯作者:
    K. Akiyama
Evaluation of β-FeSi2/Si-interface using Ag-coating on Si surface
使用 Si 表面镀银评估 β-FeSi2/Si 界面
  • DOI:
    10.1002/pssc.201300331
  • 发表时间:
    2013
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    K. Akiyama; S. Motomura; G. Hayashi; H. Funakubo;M. Itakura
  • 通讯作者:
    M. Itakura
Au及びCuで表面改質したSi基板上のβ-FeSi_2からのフォトルミネッセンス発光
Au和Cu修饰的Si衬底上β-FeSi_2的光致发光发射
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
Photoluminescence enhancement fromβ-FeSi_2 on Ag-coated Si
银包硅上 β-FeSi_2 的光致发光增强
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
AgコートしたSi上への高品質鉄シリサイド薄膜の形成
在镀银硅上形成高质量硅化铁薄膜
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
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