次世代高精度ハイブリッド接合を見据えた絶縁接合界面創成

创建绝缘接合界面，着眼于下一代高精度混合接合

• 批准号: 21KK0255
• 负责人: 多喜川 良
• 金额: $ 9.9万
• 依托单位: Kyushu University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Fund for the Promotion of Joint International Research (Fostering Joint International Research (A))
• 财政年份: 2022
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2022 至 2024
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-21KK0255/
• 关键词: 絶縁接合界面; ハイブリッドボンディング; ハイブリッド接合

本研究では、次世代の超高密度3次元積層デバイス具現化のための重要な製造技術の一つとなるハイブリッドボンディング技術を見据えて、絶縁性接合界面の形成を可能とする半導体ウエハ同士の低温接合技術の開発を推進する。初年度となる本年度は、まず国内で本プロジェクトの渡航先研究機関であるベルギーのInteruniversity Microelectronics Centre (IMEC)／Katholieke Universiteit Leuven (KUL)の研究者から半導体接合及びその関連周辺技術に関する知見のご提供と渡航後スムーズな研究推進ができるように利用設備群等の整備に関する打ち合わせをWEB会議及びメールにより行った。具体的には、半導体ウエハ上への薄膜成膜プロセスや低温接合を可能とする活性化プロセスについての知見をご提供いただくとともに、平滑なハイブリッド面を形成するための化学機械研磨(CMP)法についても諸条件の議論を行った。また、ウエハ接合体の接合強度の評価手法として有力な手法の一つとなるブレード試験法に関して、試験雰囲気（ブレード挿入時の雰囲気）制御の重要性について議論を行った。加えて、ハイブリッドボンディング及び関連周辺技術の最新動向や文献調査による先行研究の整理等の予備的な検討も行った。これらを通じ、プロジェクトスタートの見込みがあらかた立ったため、次年度のベルギーへの渡航計画を進めた。

在这项研究中，下一代超高 - 密度3D 3D堆积 - 捐赠设备是重要的制造技术之一，它是最重要的制造技术之一，是半导体的晶圆，可以形成隔热材料可以促进技术发展。今年，第一年，来自日本比利时工会间微电子学（IMEC）的研究人员的半导体关节提供了有关相关外围技术的知识。这项研究在旅行后得到了顺利进行。具体而言，我们将在半导体晶片上提供有关薄膜形成过程的知识，并讨论了可以使低温连接的激活过程，以及有关形成平滑杂种表面的化学机械抛光方法（CMP）。此外，我们讨论了测试气氛的重要性（刀片插入时的大气），关于刀片测试方法，这是晶圆连接强度的影响力之一。此外，我们还进行了初步检查，例如混合键合以及相关外围技术的最新趋势以及通过文献调查进行的研究。通过这些，该项目开始的前景得到了促进，因此我们计划明年前往比利时。