Self-assembly of highly symmetric quantum dots on GaAs(111)

GaAs(111)上高度对称量子点的自组装

• 批准号: 22710107
• 负责人: MANO Takaaki
• 金额: $ 2.58万
• 依托单位: National Institute for Materials Science
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
• 财政年份: 2010
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2010 至 2011
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-22710107/
• 关键词: 量子ドット; ガリウム砒素; もつれ合い光子; 自己形成; 量子情報; 液滴; もつれあい光子; GaAs

Great suppression of fine-structure splitting(FSS) is demonstrated in self-assembled GaAs quantum dots(QDs) grown on AlGaAs(111) A surface. Due to the three-fold rotational symmetry of the growth plane, highly symmetric excitons with significantly reduced FSS are achieved. Polarized photoluminescence spectra confirm excitonic transition with FSS smaller than 20μeV, a substantial reduction from that of QDs grown on(100).

在 AlGaAs(111) A 表面上生长的自组装 GaAs 量子点 (QD) 表现出对精细结构分裂 (FSS) 的极大抑制，由于生长面的三重旋转对称性，高度对称的激子显着减少。实现了 FSS。偏振光致发光光谱证实了 FSS 小于 20μeV，比 (100) 上生长的 QD 显着降低。

项目成果

Self-Limiting Growth of Hexagonal and Triangular Quantum Dots on(111)

(111) 六角形和三角形量子点的自限生长

• 发表时间: 2012
• 影响因子: 3.8
• 作者: M. Jo; T. Mano; M. Abbarchi; T. Kuroda; Y. Sakuma;K. Sakoda
• 通讯作者: K. Sakoda

SELF-ASSEMBLY OF TRIANGULAR QUANTUM DOTS ON (111) A SUBSTRATES BY DROPLET EPITAXY

(111)A 衬底上液滴外延自组装三角形量子点

• 发表时间: 2011
• 作者: M.Jo; T.Mano; M.Abbarchi; T.Kuroda; K.Sakoda
• 通讯作者: K.Sakoda

Self-Limiting Growth of Hexagonal and Triangular Quantum Dots on (111)A

(111)A 上六角形和三角形量子点的自限生长

• DOI: 10.1021/cg201513m
• 发表时间: 2012
• 影响因子: 3.8
• 作者: J.Masafumi

Morphological control of GaAs quantum dots grown by droplet epitaxy using a thin AlGaAs capping layer

使用薄 AlGaAs 覆盖层通过液滴外延生长的 GaAs 量子点的形态控制

• 发表时间: 2010
• 影响因子: 3.2
• 作者: M.Jo; T.Mano; K.Sakoda
• 通讯作者: K.Sakoda

液滴エピタキシを用いた(111)A面上GaAs三角形量子ドットの作製

使用液滴支配（111）A-侧GAAS三角形量子点

• 发表时间: 2011
• 作者: 定昌史;間野高明;迫田和彰
• 通讯作者: 迫田和彰