Control of band structure in strained silicide structures

应变硅化物结构中能带结构的控制

• 批准号: 22686032
• 负责人: TERAI Yoshikazu
• 金额: $ 15.48万
• 依托单位: Kagoshima University (2013)Osaka University (2010-2012)
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
• 财政年份: 2010
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2010-04-01 至 2014-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-22686032/
• 关键词: 結晶成長; 半導体光物性; シリサイド半導体; シリコンオプトエレクトロニクス; 分子線エピタキシー; エピタキシャル成長; 変調分光法; フォトリフレクタンス; 鉄シリサイド; 分子線エピタキシー法

Semiconducting silicide, beta-FeSi2, is a novel silicon-optoelectronic material which shows photoresponse and light emission in the wavelength range of near infrared. In this study, we have studied the strain-induced modification of band structure in beta-FeSi2. In the results, it was revealed that an introduction of strain along a-axis direction of the beta-FeSi2 epitaxial film is effective to control the band structure from indirect transition type to direct transition one. In addition, we have succeeded in the growth of high quality beta-FeSi2 epitaxial film with low residual carrier concentration.

半导体硅化物β-FeSi2是一种新型硅光电材料，在近红外波长范围内表现出光响应和光发射。 在本研究中，我们研究了 β-FeSi2 中能带结构的应变诱导改性。结果表明，沿β-FeSi2外延膜的a轴方向引入应变可以有效控制能带结构从间接跃迁型到直接跃迁型。 此外，我们还成功生长了低残余载流子浓度的高质量β-FeSi2外延薄膜。

项目成果

Conduction Properties of β-FeSi_2 Epitaxial Films with Low Carrier Density

低载流子密度β-FeSi_2外延薄膜的导电性能

• DOI: 10.1002/pssc.201300342
• 发表时间: 2013
• 作者: Yoshikazu Terai; Nozomu Suzuki; Keiichi Noda;Yasufumi Fujiwara
• 通讯作者: Yasufumi Fujiwara

β-FeSi_2 エピタキシャル膜におけるFKO振動の観測と表面フェルミ準位の評価

β-FeSi_2外延薄膜FKO振动观测及表面费米能级评价

• 发表时间: 2014
• 作者: 塚本裕明; 山口陽己; 服部 哲; 東 貴彦; 寺井慶和
• 通讯作者: 寺井慶和

IBSβ-FeSi_2における1.5μm発光の寿命評価

IBSβ-FeSi_2 1.5μm发射寿命评估

• 发表时间: 2011
• 作者: 寺井慶和

Growth condition dependence of direct bandgap energies in β-FeSi_2 epitaxial films grown by molecular beam epitaxy

分子束外延生长β-FeSi_2外延薄膜直接带隙能量的生长条件依赖性

• 发表时间: 2011
• 作者: K. Noda; Y. Terai
• 通讯作者: Y. Terai

Conduction Properties of β-FeSi2 Epitaxial Films with Low Carrier Density

低载流子密度β-FeSi2外延薄膜的导电性能

• 作者: Yoshikazu Terai; Nozomu Suzuki; Keiichi Noda;Yasufumi Fujiwara
• 通讯作者: Yasufumi Fujiwara