フレキシブル基板を利用した歪みによる磁気特性の制御とその応用

利用柔性基底通过应变控制磁性能及其应用

基本信息

批准号：
17J03125
负责人：
太田進也
金额：
$ 1.98万
依托单位：
The University of Tokyo
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
财政年份：
2017
资助国家：
日本
起止时间：
2017-04-26 至 2020-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

昨年度のフレキシブル基板上へのトンネル磁気抵抗（TMR)素子の直接作製に引き続きアニール条件などを調査したところ、最大で２００％程度のTMR比が４５０℃のアニールで実現できることが分かった。更に、１．６％の引張歪みを１０００回印加した後も特性が劣化することのない実用的な素子であることが確認された。また、一部の試料では引張歪みを印加した際に、非常に大きな抵抗変化とそれに伴う高いゲージ率(最大で約１０００)が確認された。フレキシブルTMR素子は従来より磁場センサや情報記録デバイスとして応用されてきた、もしくは応用が検討されているが、そういったデバイスがフレキシブル基板上にも作製できることを示し、フレキシブルエレクトロニクス分野とスピントロニクス分野の融合領域の今後の発展に欠かせない成果である。またこのフレキシブルTMR素子が歪みセンサとしても利用可能であることを示したことで、単なる二分野の融合というだけではなくそれによる新たな技術の芽を見出したと言える。またフレキシブル基板上の磁性薄膜の原子レベルの歪みを放射光を用いることで観察した。上記のようなフレキシブルスピントロニクスデバイスにおいては、基板に加わった歪みがどれだけ磁性層に伝わり、磁性がどれだけ影響を受けるかが重要である。今まであまり用いられてこなかったフレキシブルデバイスにおいてそのような基礎的な調査をした例はなく、非常に価値のある情報である。

经过调查，去年柔性底物（TMR）元素上的隧道磁电阻（TMR）元件的ANEAL条件等。 °C。此外，已经证实，即使在1.6％的拉伸失真标记1000次之后，它是一个实用元素，也不会恶化特征。在某些样品中，当施加拉伸失真时，确认了很大的电阻变化和高规格速率（最高约1000）。灵活的TMR元素已被用作磁场传感器和信息记录设备，或正在考虑，但它们表明也可以在柔性基板上制作此类设备，并且是柔性电子设备和柔性电子柔性领域中的柔性电子设备和融合区域的融合这是未来发展的必不可少的结果。同样，可以说，这种灵活的TMR元素也可以作为失真传感器提供，不仅是在两个字段的融合中，而且还可以作为由其引起的新技术的芽。此外，通过使用辐射光观察到柔性底物上磁性薄膜的原子水平的失真。在上面描述的柔性旋转器设备中，重要的是将添加到磁性层的变形量以及对磁性层的影响有多少。到目前为止，还没有关于灵活设备的基本调查，这是非常有价值的。