Fabrication of nanoporous single-crystal semiconductors with high carrier mobilities

具有高载流子迁移率的纳米多孔单晶半导体的制造

基本信息

  • 批准号：
    17K18988
  • 负责人：
    Miyake Masao
  • 金额：
    $ 4.16万
  • 依托单位：
    Kyoto University
  • 依托单位国家：
    日本
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
  • 财政年份：
    2017
  • 资助国家：
    日本
  • 起止时间：
    2017-06-30 至 2019-03-31
  • 项目状态：
    已结题

项目摘要

项目成果

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会议论文数量（0）
专利数量（0）
ミスト CVD 法による c面 Al2O3 基板への Ni1-XMgXO 薄膜のエピタキシャル成長とバンドギャップ制御
雾气CVD法和带隙控制在c面Al2O3衬底上外延生长Ni1-XMgXO薄膜
  • DOI：
  • 发表时间：
    2019
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    米谷怜;池之上卓己;三宅正男;平藤哲司
  • 通讯作者：
    平藤哲司
Growth and Electrical Properties of Epitaxial ZnO Films Prepared by Chemical Bath Deposition Using a Flow Reactor
使用流动反应器化学浴沉积制备外延 ZnO 薄膜的生长和电性能
  • DOI：
    10.2320/matertrans.m2018173
  • 发表时间：
    2018
  • 期刊：
    MATERIALS TRANSACTIONS
  • 影响因子：
    1.2
  • 作者：
    Miyake Masao;Yamamoto Ken;Ikenoue Takumi;Hirato Tetsuji
  • 通讯作者：
    Hirato Tetsuji
ミスト CVD 法による MoO2 薄膜成長
雾气CVD法生长MoO2薄膜
  • DOI：
  • 发表时间：
    2018
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    股村雄也;三宅正男;池之上卓己;平藤哲司
  • 通讯作者：
    平藤哲司
ミスト CVD 法による二酸化モリブデンのエピタキシャル成長
雾气CVD法外延生长二氧化钼
  • DOI：
  • 发表时间：
    2019
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Miyake Masao;Yamamoto Ken;Ikenoue Takumi;Hirato Tetsuji;股村雄也，池之上卓己，三宅正男，平藤哲司
  • 通讯作者：
    股村雄也，池之上卓己，三宅正男，平藤哲司
ミスト CVD 法を用いた VO2 薄膜のエピタキシャル成長
采用雾气CVD法外延生长VO2薄膜
  • DOI：
  • 发表时间：
    2019
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    木村信;池之上卓己;三宅正男;平藤哲司
  • 通讯作者：
    平藤哲司
{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI：
    {{ item.doi }}
  • 发表时间：
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊：
    {{ item.journal_name }}
  • 影响因子：
    {{ item.factor }}
  • 作者：
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者：
    {{ item.author }}

数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者：
    {{ item.author }}

数据更新时间：{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者：
    {{ item.author }}

数据更新时间：{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者：
    {{ item.author }}

数据更新时间：{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者：
    {{ item.author }}

数据更新时间：{{ patent.updateTime }}

Miyake Masao其他文献

溶液成長法による CsPbBr3 膜成長における基板温度の影響
衬底温度对溶液生长法生长CsPbBr3薄膜的影响
  • DOI：
  • 发表时间：
    2019
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Haruta Yuki;Ikenoue Takumi;Miyake Masao;Hirato Tetsuji;市田智士，池之上卓己，三宅正男，平藤哲司
  • 通讯作者：
    市田智士，池之上卓己，三宅正男，平藤哲司
Toward Tungsten Electrodeposition at Moderate Temperatures Below 100°C Using Chloroaluminate Ionic Liquids
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  • DOI：
    10.1149/1945-7111/accfc4
  • 发表时间：
    2023
  • 期刊：
    Journal of The Electrochemical Society
  • 影响因子：
    3.9
  • 作者：
    Higashino Shota;Takeuchi Yoshikazu;Miyake Masao;Sakai Takuma;Ikenoue Takumi;Tane Masakazu;Hirato Tetsuji
  • 通讯作者：
    Hirato Tetsuji
HCa2-xLaxNb3-xTixO10-CnTMAと長鎖アルキル基を有する第四級アンモニウム塩を用いた有機無機複合体の調製と酸塩基特性
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  • DOI：
  • 发表时间：
    2018
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Higashino Shota;Abbott Andrew P.;Miyake Masao;Hirato Tetsuji;中嶋祥太，伊藤 慎吾，小笠原正剛，齊藤寛治，加藤純雄;小笠原正剛，青木正裕，小林萌香，齊藤寛治，加藤純雄
  • 通讯作者：
    小笠原正剛，青木正裕，小林萌香，齊藤寛治，加藤純雄
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具有 iPS 细胞产生的运动纤毛的各种通道表达气道上皮细胞的功能特征
  • DOI：
  • 发表时间：
    2018
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Yoshie Susumu;Nakamura Ryosuke;Kobayashi Daisuke;Miyake Masao;Omori Koichi;Hazama Akihiro
  • 通讯作者：
    Hazama Akihiro
フォッカー・プランク方程式に基づくシステム群の制御
基于福克-普朗克方程的系统控制
  • DOI：
  • 发表时间：
    2018
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Ikenoue Takumi;Kawai Toshikazu;Wakashima Ryo;Miyake Masao;Hirato Tetsuji;星野健太
  • 通讯作者：
    星野健太

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{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
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    {{ item.doi }}
  • 发表时间：
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊：
    {{ item.journal_name }}
  • 影响因子：
    {{ item.factor }}
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    {{ item.authors }}
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    {{ item.author }}

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Electrodeposition of refractory metals using ionic liquids in an intermediate temperature range
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    $ 4.16万
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  • 资助金额：
    $ 4.16万
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    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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  • 财政年份：
    2022
  • 资助金额：
    $ 4.16万
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    Grant-in-Aid for Challenging Research (Pioneering)
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半导体/氧化物复合纳米线的光学、电子和自旋工程
  • 批准号：
    19H00855
  • 财政年份：
    2019
  • 资助金额：
    $ 4.16万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
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  • 批准号：
    18K04963
  • 财政年份：
    2018
  • 资助金额：
    $ 4.16万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
{{ showInfoDetail.title }}

作者：{{ showInfoDetail.author }}

知道了