Study of ion induced charge collection process in SiC MOSFETs

SiC MOSFET 中离子感应电荷收集过程的研究

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Gate Structure Dependence of Charge Collection and Single Event Burnout Tolerance for SiC MOSFETs
SiC MOSFET 的电荷收集和单粒子烧毁容限的栅极结构依赖性
  • DOI：
  • 发表时间：
    2018
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    T. Makino;S. Takano;S. Harada;Y. Hijikata;and T. Ohshima
  • 通讯作者：
    and T. Ohshima
トレンチゲート型SiC-MOSFETにおける放射線誘起破壊現象の物理過程探索と耐性評価
沟槽栅极 SiC-MOSFET 辐射诱导击穿现象的物理过程探索和电阻评估
  • DOI：
  • 发表时间：
    2017
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    O. Ueda N. Ikenaga;K. Koshi;K. Iizuka;A. Kuramata;K. Hanada;T. Moribayashi;S. Yamakoshi;and M. Kasu;Hirohisa Hirai and Koji Kita;清水大;高野 修平，牧野 高紘，原田 信介，土方 泰斗，大島 武
  • 通讯作者：
    高野 修平，牧野 高紘，原田 信介，土方 泰斗，大島 武
量産SiC-MOSFETにおける超高エネルギーイオン誘起破壊耐性の評価
量产SiC-MOSFET的超高能离子诱导击穿电阻评估
  • DOI：
  • 发表时间：
    2019
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Widianto Muhammad Yusuf Hakim;Saito Mineo;牧野　高紘
  • 通讯作者：
    牧野　高紘
SiCパワーMOSFETにおける重イオン誘起電荷収集のデバイス構造依存性
SiC 功率 MOSFET 中重离子感应电荷收集的器件结构依赖性
  • DOI：
  • 发表时间：
    2017
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    高野修平;牧野 高紘;原田 信介;児島 一聡;土方 泰斗;大島 武
  • 通讯作者：
    大島 武
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Influence of Polarity of Polarization Charge Induced by Spontaneous Orientation of Polar Molecules on Electron Injection in Organic Semiconductor Devices
极性分子自发取向诱导的极化电荷极性对有机半导体器件电子注入的影响
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    10.1587/transele.2018oms0014
  • 发表时间：
    2019
  • 期刊：
    IEICE Transactions on Electronics
  • 影响因子：
    0.5
  • 作者：
    TANAKA Yuya;MAKINO Takahiro;ISHII Hisao
  • 通讯作者：
    ISHII Hisao

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  • 资助金额：
    $ 3万
  • 项目类别：
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