Semiconductor Photonic Devices based on Control of Carrier Energy Relaxation

基于载流子能量弛豫控制的半导体光子器件

• 批准号: 21360165
• 负责人: MIYAMOTO Tomoyuki
• 金额: $ 11.48万
• 依托单位: Tokyo Institute of Technology
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
• 财政年份: 2009
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2009 至 2011
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-21360165/
• 关键词: 光通信; 光配線; 半導体光デバイス; 半導体レーザ; 量子井戸; 半導体物性; キャリア緩和; 高速変調; MBE,エピタキシャル; 電子デバイス・機器; 半導体レーザー; 直接変調; 共鳴トンネル; 半導体光増幅器; 光情報伝送; キャリア分布

The objective of this study is to solve the bottleneck of the direct modulation bandwidth of semiconductor lasers by controlling the energy relaxation of the carrier. The study of quantum structure and device fabrication was carried out. To clarify the theoretical validity of the mechanism, the specific structure was proposed and the theoretical characteristics were investigated. Experimentally, prototype of the proposed laser was fabricated and the fundamental properties and the issues for high-speed operation of lasers were clarified.

本研究的目的是通过控制载流子的能量弛豫来解决半导体激光器直接调制带宽的瓶颈。开展了量子结构和器件制造的研究。为了阐明该机制的理论有效性，提出了具体结构并研究了理论特征。通过实验，制造了所提出的激光器的原型，并阐明了激光器的基本特性和高速运行的问题。

项目成果

キャリア緩和を制御する直接変調レーザの高速動作設計

控制载流子弛豫的直接调制激光器高速运行设计

• 发表时间: 2012
• 作者: 比嘉康貴

数値解析によるトンネル注入SOAの利得飽和特性の評価

隧道注入SOA增益饱和特性的数值分析评估

• 发表时间: 2011
• 作者: 反町幹夫

GaNAsトンネル注入量子井戸レーザの設計及び動作解析

GaNs隧道注入量子阱激光器的设计与运行分析

• 发表时间: 2010
• 作者: 比嘉康貴

数値解析によるトンネル注入SOAの動特性の構造依存性

通过数值分析研究隧道注入 SOA 动态特性的结构依赖性

• 发表时间: 2010
• 作者: 反町幹夫

キャリア緩和を制御する直接変調レーザの高速動作設計

控制载流子弛豫的直接调制激光器高速运行设计

• 发表时间: 2012
• 作者: 比嘉康貴