Optical phase conjugation based on a ferroelectric semiconductor

基于铁电半导体的光学相位共轭

• 批准号: 21360026
• 负责人: OMATSU Takashige
• 金额: $ 11.32万
• 依托单位: Chiba University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
• 财政年份: 2009
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2009 至 2011
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-21360026/
• 关键词: 非線形光学; フォトリフラクティブ効果; フェロエレクトリック半導体; レーザー; 超短パルスレーザー; 位相共役光学

Photorefractive nonlinear wave mixing at the telecommunication wavelength 1.55 μm has been intensely investigated, because it enables us potentially to demonstrate beam combination, beam cleanup, and optical phase conjugation in combination with fiber optics. Photorefraction at this wavelength regime has been investigated mostly in semiconductors such as CdTe : V, since conventional ferroelectric materials, i.e., Rh doped BaTiO_3 has property of very poor photorefractive sensitivity at this wavelength. However, the CdTe : V requires an additional large alternating current (AC) electric field (.4 kV/cm) and 1.3 μm stimulating illumination to achieve an efficient photorefractive two wave mixing gain.In this work, we investigate 1.55 μm photorefractive phase conjugation in a ferroelectric semiconductor material, tin thiohypodiphosphate (Sn_2P_2S_6, SPS), showing a relatively narrow band gap (～2.3 eV), a high charge mobility, as well as a large dielectric constant.

电信波长 1.55 μm 的光折变非线性波混频已得到深入研究，因为它使我们有可能展示光束组合、光束净化和与光纤相结合的光学相位共轭。该波长范围的光折变主要在半导体等领域进行研究。为CdTe：V，因为传统的铁电材料，即Rh掺杂的BaTiO_3在该波长下具有非常差的光折变灵敏度。 ：V 需要额外的大交流 (AC) 电场 (0.4 kV/cm) 和 1.3 μm 刺激照明，以实现高效的光折变两波混合增益。在这项工作中，我们研究了铁电半导体中的 1.55 μm 光折变相位共轭材料，硫代二磷酸锡（Sn_2P_2S_6，SPS），显示出相对窄的带隙（〜2.3 eV），高电荷迁移率以及大介电常数。

项目成果

Photorefractive two-wave mixing at 1.55 μm based on two-photon absorption in a Rh doped BaTiO_3 and Te doped Sn_2P_2S_6 crystals

基于Rh掺杂BaTiO_3和Te掺杂Sn_2P_2S_6晶体中双光子吸收的1.55 μm光折变双波混频

• DOI: 10.1017/s0263034611000644
• 发表时间: 2012
• 影响因子: 0.9
• 作者: K.Toyoda; K.Miyamoto; T.Omatsu; A.A.Grabar
• 通讯作者: A.A.Grabar

Optical phase conjugation of picosecond pulses at 1.06μm in Sn_2P_2S_6 : Te for real-time wavefront correction in high-power Nd-doped amplifier systems

Sn_2P_2S_6 中 1.06μm 皮秒脉冲的光学相位共轭：Te 用于高功率掺钕放大器系统中的实时波前校正

• 发表时间: 2010
• 作者: T.Bach; K.Nawata; M.Jazbinsek; T.Omatsu; P.Gunter
• 通讯作者: P.Gunter

光波の角運動量を用いた金属ナノニードル加工

利用光波角动量进行金属纳米针加工

• 发表时间: 2011
• 作者: 尾松孝茂

超短パルス光のための位相共役鏡とそれを用いた光増幅器

超短脉冲光用相位共轭镜及使用其的光放大器

• 发表时间: 2010

高出力光渦レーザーの開発とレーザーアブレーションへの応用

高功率光学涡旋激光器的研制及其在激光烧蚀中的应用

• 发表时间: 2010
• 作者: 尾松孝茂