Electrical Characteristics of ss-FeSi_2 thin films on semi-insulating SiC substrates

半绝缘SiC衬底上ss-FeSi_2薄膜的电学特性

• 批准号: 20613015
• 负责人: AKIYAMA Kensuke
• 金额: $ 2.91万
• 依托单位: Kanagawa Industrial Technology Center
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• 财政年份: 2008
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2008 至 2010
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-20613015/
• 关键词: 鉄シリサイド; 半導体; エピタキシャル成長; 薄膜成長; 電気特性; シリコンカーバイド; エピタキシャル

(100)-oriented ss-FeSi_2 films were expitaxially grown on a SiC (3C-SiC)-buffered Si(100) and (111) substrate by co-sputtering iron and silicon. These epitaxial films had double-domain and triple-domain structure on (100)3C-SiC and (111)3C-SiC layer, respectively. The Hall measurements revealed that the epitaxial ss-FeSi_2 films on semi-insulating 4H-SiC showed p-type conductivity with the hall concentration of 1.5×1018 cm^3 at 295K. The Hall mobility was 12 and 140 cm^2/Vs t at 295K and 30K, respectively, indicating the high crystal quality of the epitaxial ss-FeSi_2 films.

通过共溅射铁和硅，在 SiC (3C-SiC) 缓冲 Si(100) 和 (111) 衬底上外延生长 (100) 取向 ss-FeSi_2 薄膜，这些外延薄膜具有双畴和三畴。分别在 (100)3C-SiC 和 (111)3C-SiC 层上的结构霍尔测量表明外延。半绝缘4H-SiC上的ss-FeSi_2薄膜表现出p型导电性，295K时霍尔浓度为1.5×1018 cm^3，295K和30K时霍尔迁移率分别为12和140 cm^2/Vs t。表明外延 ss-FeSi_2 薄膜具有较高的晶体质量。

项目成果

Good Conformability of Indium-Tin Oxide Thim Films Prepared by Spray Chemical Vapor Deposition

喷雾化学气相沉积制备的氧化铟锡薄膜具有良好的适形性

• 发表时间: 2009
• 作者: T.Kondo; Y.Sawada; H.Funakubo; K.Akiyama; T.Kiguchi; M.W.Wang; T.Uchida
• 通讯作者: T.Uchida

Photoluminescence properties of β-FeSi_2 on Cu-or Au-coated Si

Cu或Au涂层Si上β-FeSi_2的光致发光特性

• 发表时间: 2011
• 作者: K.Akiyama; S.Kaneko; Y.Hirabayashi; K Yokomizo; M.Itakura
• 通讯作者: M.Itakura

Photoluminescence properties ofβ-FeSi_2 grains on Si substrate with Aucoat layer

Aucoat层Si衬底上β-FeSi_2颗粒的光致发光特性

• 发表时间: 2010
• 作者: K.Akiyama; K.Yokomizo; S.Kaneko; Y.Hirabayashi; M.Itakura
• 通讯作者: M.Itakura

Epitaxial growth of β-FeSi_2 thin film on SiC by co-sputtering of iron and silicon

铁硅共溅射在SiC上外延生长β-FeSi_2薄膜

• 发表时间: 2009
• 作者: 秋山賢輔; 平林康男; 金子智; 門脇貞子
• 通讯作者: 門脇貞子

半絶縁性4H-SiC基板上β-FeSi_2薄膜の電気伝導特性

半绝缘4H-SiC衬底上β-FeSi_2薄膜的导电性能