Development of the solar cells using the ferroelectric semiconductor heterointerface
使用铁电半导体异质界面的太阳能电池的开发
基本信息
- 批准号:24760545
- 负责人:
- 金额:$ 2.91万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
- 财政年份:2012
- 资助国家:日本
- 起止时间:2012-04-01 至 2014-03-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
BiFeO3 epitaxial films were prepared by hydrothermal synthesis method on the SrTiO3 single crystalline substrates. The resistance of the BiFeO3 epitaxial films was too large to measure ultraviolet photoelectron spectroscopy for determining the band diagram (the energy positions of the conduction band minimum and the valence band maximum) and too small to polarize them. Then, polarized BaTiO3 was employed as the test sample for the confirmation of the band slope induced by the polarization: clear band slope was observed by XPS measurements with a low-energy electron flood gun. As a result, open-circuit voltage which is larger than the band gap energy can be expected in polarized ferroelectric solar cells.
Bifeo3外延膜是通过SRTIO3单晶底物上的热液合成方法制备的。 Bifeo3外延膜的电阻太大,无法测量紫外光电子光谱,无法确定带图(传导带的能量位置最小值和价值带的最大值),并且太小而无法偏振它们。然后,将极化的BATIO3用作测试样品,以确认由极化引起的带坡:通过低能电子洪水枪XPS测量观察到清晰的带斜率。结果,在极化铁电太阳能电池中,可以预期的开路电压大于带隙能。
项目成果
期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
新規アモルファス酸化物半導体Cd-M-O薄膜(M = Ga, Si)の作製とバンドギャップ制御
新型非晶氧化物半导体Cd-M-O薄膜(M=Ga、Si)的制备与带隙控制
- DOI:
- 发表时间:
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:堀内隆弘,和田智志,柳博;井口雄喜,柳博;堀内 隆弘,和田 智志,柳 博;柳 博,佐藤 千友紀,高木 暢人,鈴木 一誓,小俣 孝久,神谷 利夫,細野 秀雄
- 通讯作者:柳 博,佐藤 千友紀,高木 暢人,鈴木 一誓,小俣 孝久,神谷 利夫,細野 秀雄
水熱合成法によるエピタキシャルBiFeO3薄膜の作製とその電子状態
水热合成外延BiFeO3薄膜的制备及其电子态
- DOI:
- 发表时间:2013
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:堀内隆弘,和田智志,柳博;井口雄喜,柳博;堀内 隆弘,和田 智志,柳 博
- 通讯作者:堀内 隆弘,和田 智志,柳 博
水熱合成法によるエピタキシャルBiFeO_3薄膜の作製とその電子状態
水热合成外延BiFeO_3薄膜的制备及其电子态
- DOI:
- 发表时间:2013
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:堀内隆弘,和田智志,柳博
- 通讯作者:堀内隆弘,和田智志,柳博
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YANAGI Hiroshi其他文献
Does the hot environment increase in Kyushu?
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- 发表时间:
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- 影响因子:0
- 作者:
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YANAGI Hiroshi
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