Spin-polarized surface states of germanium substrate modified by surface adsorbates

表面吸附物修饰的锗基底的自旋极化表面态

基本信息

  • 批准号:
    24740197
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 2.58万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
  • 财政年份:
    2012
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2012-04-01 至 2014-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

Spin-polarized surface states of heavy-element-atoms adsorbed semiconductor substrates have been studied. A monolayer Pb adsorbed Ge(111) surface exhibits two-dimensional electronic states localized in subsurface layers of a Ge(111) substrate. In addition, the surface-state bands are split into two due to the Rashba effect. For Pt-induced nanowires formed on Ge(001) surface, we found several one-dimensional metallic bands. One of the metallic bands is accurately one-dimensional and behaves as the Fermi gas. In addition, another quasi-one-dimensional metallic band shows the Rashba-type spin splitting. These results are essential to a new scientific field such as surface spin transport, filtering and injection into semiconductors.
研究了吸附重元素原子的半导体衬底的自旋极化表面态。单层 Pb 吸附的 Ge(111) 表面表现出局域于 Ge(111) 基底的次表面层中的二维电子态。此外,由于拉什巴效应,表面态能带被分成两部分。对于在 Ge(001) 表面形成的 Pt 诱导纳米线,我们发现了几个一维金属带。其中一个金属带准确地说是一维的,并且表现为费米气体。此外,另一个准一维金属带显示了Rashba型自旋分裂。这些结果对于表面自旋输运、过滤和注入半导体等新的科学领域至关重要。

项目成果

期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
半導体上でスピン分裂した金属表面状態の発見
半导体上自旋分裂金属表面态的发现
  • DOI:
  • 发表时间:
    2013
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    A. Ishii;A. Yokoyama;M. Yoshida;T. Shimada;Y. K. Kato;矢治光一郎
  • 通讯作者:
    矢治光一郎
一次元原子鎖Pt/Ge(001)のスピン偏極した擬一次元金属電子状態
一维原子链Pt/Ge(001)的自旋极化准一维金属电子态
  • DOI:
  • 发表时间:
    2013
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Yuya Ominato;Mikito Koshino;矢治光一郎
  • 通讯作者:
    矢治光一郎
Two-dimensional states localized in subsurface layers of Ge(111)
  • DOI:
    10.1103/physrevb.88.245310
  • 发表时间:
    2013-12-31
  • 期刊:
  • 影响因子:
    3.7
  • 作者:
    Ohtsubo, Yoshiyuki;Yaji, Koichiro;Aruga, Tetsuya
  • 通讯作者:
    Aruga, Tetsuya
Direct observation of one-dimensional metallic bands of Pt-induced nanowires on Ge(001) by angle-resolved photoelectron spectroscopy
利用角分辨光电子能谱直接观察Ge(001)上Pt诱导纳米线的一维金属带
  • DOI:
  • 发表时间:
    2012
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    H. Yokota;N. Zhang;P. Thomas and M. Glazer;小林亮;Koichiro Yaji
  • 通讯作者:
    Koichiro Yaji
半導体表面上でスピン分裂した金属表面状態の発見
半导体表面自旋分裂金属表面态的发现
  • DOI:
  • 发表时间:
    2013
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    横田 紘子;野末 朋也;矢治光一郎
  • 通讯作者:
    矢治光一郎
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