Investigations of imprint phenomena in ferroelectric random access memories (FeRAM) with first-principles and molecular-dynamics calculations

利用第一原理和分子动力学计算研究铁电随机存取存储器 (FeRAM) 中的印记现象

• 批准号: 23740230
• 负责人: NISHIMATSU Takeshi
• 金额: $ 2.75万
• 依托单位: Tohoku University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
• 财政年份: 2011
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2011 至 2012
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-23740230/
• 关键词: 強誘電体; 分子動力学シミュレーション; FeRAM; 第一原理計算; フリーソフトウェア; ドメイン構造; PbTiO3; 相転移; 分子動力学シミュレーショ ン

We are developing a molecular dynamics (MD) simulator for ferroelectrics and distributing it from http:/ /loto.sourcef orge.net/feram/ as free software. We firstly succeeded in MD simulations of 90° domain structures in PbTiO3.

我们正在开发一种用于铁电体的分子动力学 (MD) 模拟器，并将其作为免费软件从 http://loto.sourceforge.net/feram/ 发布。我们首先成功地对 PbTiO3 的 90° 畴结构进行了 MD 模拟。

项目成果

Molecular dynamics simulations of bulk and thin-film ABO3 perovskite-type ferroelectrics

块体和薄膜 ABO3 钙钛矿型铁电体的分子动力学模拟

• 发表时间: 2012
• 作者: Minoru Eto;Toshiaki Fujimori;Muneto Nitta;Keisuke Ohashi;Norisuke Sakai;Takeshi Nishimatsu
• 通讯作者: Takeshi Nishimatsu

The structural, dielectric, elastic, and piezoelectric properties of KNbO3 from first-principles methods

• DOI: 10.1063/1.4712052
• 发表时间: 2012-05
• 期刊: Journal of Applied Physics
• 影响因子: 3.2
• 作者: L. Wan;T. Nishimatsu;S. Beckman

Molecular-Dynamics Study of Interactions between Point-Defects and Ferroelectric Domains

点缺陷与铁电域相互作用的分子动力学研究

• 发表时间: 2013
• 作者: Kenichi Yoshida;Takeshi Nishimatsu
• 通讯作者: Takeshi Nishimatsu

強誘電体の電気熱量効果の直接的な分子動力学計算

铁电体电热效应的直接分子动力学计算

• 发表时间: 2013
• 作者: H.Q.Zhao;M.Fujiwara and S.Takeuchi;西松毅,Scott P.Beckman,J.A.Barr,L.F.Wan
• 通讯作者: 西松毅,Scott P.Beckman,J.A.Barr,L.F.Wan

から本研究課題で改良を進めたferamプログラムをフリーソフトウエアとして公開している。また、このホームページでは研究成果の公開も進めている。

此后，在该研究项目中改进的feram程序已作为免费软件发布。