Control of magnetism of ferromagnetic semiconductors by co-doping and its application to an electric-control magnetic device

铁磁半导体共掺杂磁性控制及其在电控磁性器件中的应用

• 批准号: 18360006
• 负责人: TAKITA Koki
• 金额: $ 11.1万
• 依托单位: University of Tsukuba
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
• 财政年份: 2006
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2006 至 2008
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-18360006/
• 关键词: スピントロニクス; 強磁性半導体; 分子線エピタキシー; 不純物ドーピング; フェルミ準位; 電界効果トランジスター; 磁性制御; キャリアドーピング; クラスター; 自己形成ドット

強磁性半導体(Zn,Cr)Teにおける荷電性の不純物ドーピングによる磁性の変化を調べた。(Zn,Cr)Teにアクセプター性不純物である窒素をドープすると強磁性が抑制されるが、分子線エピタキシー法により成長した窒素ドープ(Zn,Cr)Teにおいて、窒素のドーピング量と強磁性特性との定量的関係より、窒素ドーピングに伴うCrイオンの価数変化と強磁性抑制との関係を解析し、この系の強磁性メカニズムについての考察を行った。さらに、(Zn,Cr)Te層と非磁性半導体である窒素ドープ(Zn,Mg)Te層からなるρ型の変調ドープヘテロ構造を作製し、ヘテロ界面に生成される2次元正孔により(Zn,Cr)Te層の強磁性が抑制されることを明らかにした。

我们研究了铁磁半导体 (Zn,Cr)Te 中掺杂带电杂质导致的磁性变化。用作为受主杂质的氮掺杂(Zn,Cr)Te会抑制铁磁性，但在通过分子束外延生长的氮掺杂(Zn,Cr)Te中，氮掺杂量和铁磁性由定量关系可知，我们分析了铁磁抑制与氮掺杂引起的Cr离子价态变化之间的关系，并讨论了该体系的铁磁机制。此外，我们制备了由(Zn,Cr)Te层和氮掺杂(Zn,Mg)Te层组成的ρ型调制掺杂异质结构，它是一种非磁性半导体，揭示了Cr的铁磁性。 )Te层被抑制。

项目成果

Inhomogeneous Cr distribution and superparamagnetic behavior in magnetic semiconductor (Zn, Cr) Te

磁性半导体（Zn、Cr）Te 中 Cr 的不均匀分布和超顺磁性行为

• 发表时间: 2009
• 作者: K. Ishikawa et al.

Magneto-optical properties of n-type modulation-soped (Cd, Cr) Te quantum well

n型调制（Cd、Cr）Te量子阱的磁光特性

• 发表时间: 2008
• 作者: F. Takano et al

Formation of Cr-rich nano-clusters and columns in (Zn, Cr) Te grown by MBE

MBE 生长的 (Zn, Cr) Te 中富铬纳米团簇和柱的形成

• 发表时间: 2009
• 作者: S. Kuroda; K. Ishikawa; K. Zhang; Y. Nishio; M. Mitome; Y. B;o
• 通讯作者: o

「半導体における磁性元素の高濃度ドーピングと非一様分布」(シンポジウム「高濃度ドーピングへの挑戦とそれに伴う格子欠陥の解決」)

“半导体中磁性元素的高浓度掺杂和不均匀分布”（研讨会“高浓度掺杂的挑战及其相关晶格缺陷的解决”）

• 发表时间: 2009
• 作者: 黒田眞司

半導体へのスピン注入とデバイス応用への展望

自旋注入半导体及其器件应用前景

• 发表时间: 2008
• 作者: 黒田眞司